[發明專利]半導體裝置及包括該半導體裝置的前照燈

在審

• 申請號: 201880056883.4
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN111164753A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 李尚烈;姜基晚;金度燁;李恩得
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/36;H01L33/58
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 李琳;陳英俊

1.一種半導體裝置，包括：

基板；

多個半導體結構，所述多個半導體結構設置在所述基板的中心部分處；

第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤設置在所述基板的邊緣部分上；

第一布線，所述第一布線將所述第一焊盤電連接到所述多個半導體結構中的至少一個；

第二布線，所述第二布線將所述第二焊盤電連接到所述多個半導體結構中的至少一個；以及

波長轉換層，所述波長轉換層設置在所述多個半導體結構上，

其中，所述多個半導體結構設置成在第一方向和第二方向上彼此間隔開，

所述第一方向和所述第二方向彼此相交，

所述多個半導體結構之間的間隔距離在5μm至40μm的范圍內，并且

所述波長轉換層的厚度在1μm至50μm的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述波長轉換層的所述厚度大于所述半導體結構的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在所述多個半導體結構中，所述半導體結構在所述第一方向上的寬度與所述多個半導體結構之間的所述間隔距離之比為1:8至6:1。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述波長轉換層的所述厚度在10μm至30μm的范圍內，并且

波長轉換顆粒的平均直徑D50在1μm至20μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述多個半導體結構中的每一個包括第一導電半導體層、第二導電半導體層以及設置在所述第一導電半導體層與所述第二導電半導體層之間的有源層。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，包括設置在所述第一布線與所述第二布線之間的第一絕緣層。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述第一布線包括：第一貫通部，所述第一貫通部通過所述有源層、所述第二導電半導體層以及所述第一絕緣層與所述第一導電半導體層電連接；以及第一端部，所述第一端部朝向所述基板的所述邊緣部分延伸，

所述第二布線包括朝向所述基板的所述邊緣部分延伸的第二端部，并且

所述第一焊盤包括：第一區域，所述第一區域通過所述第一絕緣層電連接到所述第一端部；以及第二區域，所述第二區域通過從所述第一區域延伸從而從所述基板的所述邊緣部分突出。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第一端部和所述第二端部延伸至所述邊緣部分。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述半導體結構還包括多個孔，所述多個孔具有從所述第二導電半導體層朝向所述第一導電半導體層的規定深度，并且

所述多個孔設置成面對所述基板。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，還包括在所述基板和所述半導體結構之間的保護層，所述保護層設置成使所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層部分地露出。