[發明專利]集成電路處理方法和設備在審
| 申請號: | 201880056880.0 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN111066136A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發明(設計)人: | 理查德·普賴斯;史蒂芬·德文波特;布萊恩·哈迪·科布 | 申請(專利權)人: | 務實印刷有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
| 地址: | 英國塞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 處理 方法 設備 | ||
本發明涉及在特定位置處選擇性地改變柔性基板與載體之間的粘合強度以便于運輸和隨后的從所述載體去除所述柔性基板的方法和設備,所述方法包括以下步驟:提供包括多個集成電路的柔性基板;提供用于所述柔性基板的載體,并且通過在所述柔性基板與所述載體之間創建界面將所述柔性基板粘附到所述載體;利用電磁輻射源(例如,激光、閃光燈、大功率LED、紅外線輻射源等),通過對所述柔性基板與所述載體之間的所述界面進行非均勻處理,在選定位置處改變所述柔性基板與所述載體之間的粘合力,從而在所述選定位置處減小或增加所述柔性基板的一部分與所述載體之間的粘合力。
本發明涉及用于制造和處理集成電路(IC)的方法和設備。具體地,盡管非排他性地,但是本發明涉及用于在特定位置處選擇性地改變柔性基板與載體之間的粘合強度以便于運輸和隨后從載體去除柔性基板的方法和設備。
背景技術
當前的晶片集成技術涉及將晶片(通常地,結晶硅)放置在較大晶片框架上的粘合膜上。在拉力下將晶片放置到集成機器中之前,晶片被切成小塊,以在相鄰裸片之間創建空間。然后在所得的集成電路(IC)的處理期間,可以從粘合膜上拾取單個裸片或從粘合膜上移出單個裸片,并且或者在電子電路的形成期間,單個裸片被直接放置到具有相應的接觸墊的第一支撐件上,或者如果需要翻轉方向,則在放置到具有相應的接觸墊的所述支撐件上之前,單個裸片被放置在第二拾取工具上。
在使用與硅晶片相反的柔性塑料基板的過程中,在將塑料基板轉移到粘合膜之前,可以利用從支撐柔性塑料基板的初始載體(例如,玻璃、聚碳酸酯或石英)剝離過程的附加步驟來完成相同的過程。從玻璃載體上去除的過程形成小塊的柔性IC的陣列,其格式具有足夠的粘合以在玻璃載體上運輸和處理,同時在隨后的處理期間還允許真空頭從粘合膜去除各個柔性IC。
用于其上放有電子器件(例如,集成電路)的柔性塑料基板從載體(例如,玻璃、聚碳酸酯或石英)的剝離過程通常涉及利用電磁輻射源(例如,激光、閃光燈、大功率LED、紅外線輻射源等)從載體的背面進行處理。該機制將取決于電磁輻射源是主要引起光子燒蝕(通過吸收)還是加熱過程(例如,放熱)。可選地,可以在載體與柔性塑料基板之間采用粘合材料/剝離材料。激光以固定的離散間隔掃描整個表面。激光通過局部燒蝕基板的薄層或降低粘結強度來改變柔性塑料基板(例如,膜)與玻璃載體之間的界面。已經證明,利用較窄的過程窗來控制激光實現均勻方式的平衡剝離是困難的。
本發明試圖避免在柔性塑料基板從玻璃載體轉移到粘合膜的步驟中所涉及的附加處理以及相關的制造成本。
需要平衡粘合強度,從而滿足兩個條件:足以防止在運輸和處理期間丟失IC的條件,足夠低以允許拾取頭從載體(例如,剛性或柔性)移除IC裸片的條件。
本發明為現有技術的晶片集成技術提供了至少一種可選擇的方案。
發明內容
根據本發明,提供一種在特定位置處選擇性地改變柔性基板與載體之間的粘合強度以便于運輸和隨后的轉移的方法,其中,所述柔性基板包括多個電子組件(集成電路(IC)),每個電子組件包括相應組端子,所述隨后的轉移包括將包括多個電子組件的所述柔性基板直接從所述載體轉移到包括相應組接觸墊(接觸部)的相應第一部分上,所述方法包括以下步驟:
提供包括多個集成電路的柔性基板;
提供用于所述柔性基板的載體,并且通過在所述柔性基板與所述載體之間創建界面將所述柔性基板粘附到所述載體;
通過利用電磁輻射源(例如,激光、閃光燈、大功率LED、紅外線輻射源、紫外線輻射源等)對所述柔性基板與所述載體之間的界面進行非均勻處理,在一個或多個選定位置處改變所述柔性基板與所述載體之間的粘合力,從而在所述一個或多個選定位置處減小或增加所述柔性基板的一部分與所述載體之間的粘合力。
在某些實施例中,所述載體是剛性的。更特別地,所述載體是玻璃、聚碳酸酯或石英。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





