[發明專利]極性納米工程化的弛豫PbTiOi鐵電晶體

有效

• 申請號: 201880056866.0
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN111133597B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 羅軍;W·S·哈肯貝格爾;李飛;張書軍;T·R·旭洛特
• 申請（專利權）人: TRS技術股份有限公司;賓夕法尼亞州立大學研究基金會
• 主分類號: H10N30/853
• 分類號: H10N30/853;H10N30/093;H10N30/097
• 代理公司: 廣州川墨知識產權代理事務所(普通合伙) 44485
• 代理人: 龍亮華

1.一種弛豫PT基壓電晶體，包括通式

（Pb_1-1.5xM_x）{[(M_I,M_II)_1-z(M_I’,M_II’)_z]_1-yTi_y}O₃，

其中：

M是稀土陽離子，其選自Pr³⁺、Nd³⁺、Pm³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、Lu³⁺中的一種或多種；

M_I選自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺；

M_II是Nb⁵⁺；

M_I’選自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺、In³⁺和Zr⁴⁺；

M_II’是Nb⁵⁺或Zr⁴⁺；

0＜x≤0.05；

0.02＜y＜0.7；和

0≤z＜1，

如果M_I’或M_II’是Zr⁴⁺，則M_I’和M_II’是Zr⁴⁺，以及

其中所述弛豫PT基壓電晶體為單晶體。

2.根據權利要求1所述的晶體，其中z是0，晶體為二元晶體。

3.根據權利要求2所述的晶體，其中M_I選自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II是Nb⁵⁺。

4.根據權利要求1所述的晶體，其中0＜z＜1，晶體為三元晶體。

5.根據權利要求4所述的晶體，其中M_I選自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II是Nb⁵⁺，以及M_I’和M_II’各自為Zr⁴⁺。

6.根據權利要求4所述的晶體，其中M_I和M_I’各自獨立地選自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II和M_II’各自為Nb⁵⁺。

7.根據權利要求1所述的晶體，其中M選自Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺中的一種或多種。

8.根據權利要求7所述的晶體，其中M是Sm³⁺。