[發明專利]生產二氧化硅載體的方法以及二氧化硅載體在審
| 申請號： | 201880056795.4 | 申請日： | 2018-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN111051240A | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發明（設計）人： | 小口亙;山下克彥;木村季弘;下野大樹 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/113 | 分類號： | C01B33/113;B01J21/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 唐秀玲;林柏楠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生產 二氧化硅 載體 方法 以及 | ||
【權利要求書】：
1.生產二氧化硅載體的方法，包括將通過燃燒法獲得的熱解法二氧化硅、通過凝膠法獲得的硅膠、和通過溶膠-凝膠法或水玻璃法獲得的膠態二氧化硅捏合，將所得捏合產物成型，煅燒所得成型體。
2.根據權利要求1所述的生產二氧化硅載體的方法，其中熱解法二氧化硅的混合量為5～50質量份，硅膠的混合量為40～90質量份，膠態二氧化硅的固含量的混合量為5～30質量份。
3.根據權利要求1或2所述的生產二氧化硅載體的方法，其中煅燒溫度為300～1000℃。
4.二氧化硅載體，在孔徑分布的測量中，具有孔徑為2～50nm的中孔和孔徑大于50nm且小于或等于1000nm的大孔。
5.根據權利要求4所述的二氧化硅載體，其中在壓汞法孔徑分布中，大孔的孔體積為0.05～0.50cc/g。
6.根據權利要求4或5所述的二氧化硅載體，其中BET比表面積為200～500m2/g。
7.根據權利要求4～6中任一項所述的二氧化硅載體，其中堆積密度為300～700g/L。
8.根據權利要求4～7中任一項所述的二氧化硅載體，其中BJH法中孔平均孔徑為3～16nm。
9.根據權利要求4～8中任一項所述的二氧化硅載體，其中粒徑為2～8mm。
10.根據權利要求4～9中任一項所述的二氧化硅載體，其通過權利要求1～3中任一項所述的方法獲得。
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