[發明專利]晶片載置臺及其制法

有效

• 申請號: 201880056716.X
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN111095521B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 赤塚祐司;石川征樹;曻和宏;服部亮譽;中村圭一
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;王莉莉

本發明的晶片載置臺(10)，在具有晶片載置面(12a)的陶瓷基體(12)的內部，從離晶片載置面(12a)較近的一側以與晶片載置面(12a)平行的方式埋設有第一電極(21)和第二電極(22)。晶片載置臺(10)具備將第一電極(21)與第二電極(22)電導通的導通部(30)。導通部(30)是在第一電極(21)與第二電極(22)之間重疊多片與晶片載置面(12a)平行并由板狀的金屬網構成的圓形部件(32)而成。

技術領域

本發明涉及晶片載置臺及其制法。

背景技術

現今，公知一種在處理晶片中使用的晶片載置臺。作為晶片載置臺，有陶瓷加熱器、靜電卡盤、基座(內置有等離子體產生用的電極)等。例如，專利文獻1中公開以下內容：作為這樣的晶片載置臺，在具有晶片載置面的陶瓷基體的內部，從離晶片載置面較近的一側以與晶片載置面平行的方式埋設有圓板狀的第一電極和外徑比第一電極的外徑大的環狀的第二電極。第一電極與第二電極經由導通部電導通。專利文獻1中公開有如圖9所示地呈Z字形折曲并由金屬網構成的導通部等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-163259號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，在對載置于晶片載置面的晶片實施等離子體處理時，在導通部流動高頻電流。此時，若采用圖9的導通部，則第一電極與第二電極之間的導通路徑呈Z字形，因而比第一電極與第二電極之間的距離長很多，在流動高頻電流時的阻抗變高。其結果，導通部的發熱量變大，導通部的上方部位異常變得高溫，有均熱性變差的問題。

本發明是為了解決這樣的課題而完成的，其主要目的在于：在以經由導通部導通的方式埋設有相互平行的第一電極以及第二電極的晶片載置臺中，使晶片的均熱性變得良好。

用于解決課題的方案

本發明的晶片載置臺在具有晶片載置面的陶瓷基體的內部，從離上述晶片載置面較近的一側以與上述晶片載置面平行的方式埋設第一電極和第二電極，并且具備將上述第一電極與上述第二電極電導通的導通部，

上述晶片載置臺的特征在于，

上述導通部是在上述第一電極與上述第二電極之間重疊多片與上述晶片載置面平行的板狀的金屬網部件而成。

在該晶片載置臺中，導通部是在第一電極與第二電極之間重疊多片與晶片載置面平行的板狀的金屬網部件而成的。這樣的導通部的導通路徑跟第一電極與第二電極之間的距離大致相同，而且金屬網部件彼此多點接觸，因而與例如呈Z字形地折曲的金屬網相比，在流動高頻電流時的阻抗變低。因此，能夠防止導通部的上方部位異常變得高溫，能夠使晶片的均熱性變得良好。

此外，“平行”除包括完全平行的情況之外，還包括實際上平行的情況(例如在公差范圍內的情況等)。

在本發明的晶片載置臺中，上述陶瓷基體的材料優選進入上述金屬網部件的網眼空間。這樣，在強度方面有利。

在本發明的晶片載置臺中，上述第一電極以及上述第二電極用作靜電電極來使、或者用作RF電極、又或者用作靜電電極以及RF電極的雙方。

在本發明的晶片載置臺中，可以使上述第一電極為圓板電極，并使上述第二電極為直徑比上述第一電極的直徑大且與上述第一電極成同心圓的圓板電極或者環狀電極，但上述第一電極以及上述第二電極優選均是圓板電極。在第一電極是圓板電極且第二電極是環狀電極的情況下，在從晶片載置面之上觀察第一電極時，在第一電極中有與第二電極重疊的雙層部分(設有導通部的部分)和不與第二電極重疊的單層部分，因而有在雙層部分和單層部分中對晶片產生的影響不同的擔憂。相對于此，在第一電極以及第二電極均是圓板電極的情況下，當從晶片載置面之上觀察第一電極時，第一電極整體與第二電極重疊，因而沒有那樣的擔憂。