[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880056474.4
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN111033757A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 神長正美;黑崎大輔;大野正勝;肥塚純一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H01L51/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一至第六絕緣層；

半導(dǎo)體層；

第一至第三導(dǎo)電層；

第一開口；以及

第二開口，

其中，所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層上，

所述半導(dǎo)體層位于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，

所述第三絕緣層位于所述第二絕緣層上，

所述第四絕緣層位于所述第三絕緣層上，

所述第一導(dǎo)電層包括與所述半導(dǎo)體層重疊的區(qū)域且位于所述第三絕緣層與所述第四絕緣層之間，

所述第三絕緣層包括與所述第一導(dǎo)電層的底面接觸的區(qū)域和與所述第四絕緣層接觸的區(qū)域，

所述第四絕緣層接觸于所述第一導(dǎo)電層的頂面及側(cè)面，

所述第五絕緣層接觸于所述半導(dǎo)體層的頂面及側(cè)面，

所述第五絕緣層在與所述半導(dǎo)體層重疊且不與第一導(dǎo)電層重疊的區(qū)域中包括第一開口及第二開口，

所述第二導(dǎo)電層在所述第一開口中與所述半導(dǎo)體層電連接，

所述第三導(dǎo)電層在所述第二開口中與所述半導(dǎo)體層電連接，

所述第三絕緣層、所述第四絕緣層及所述第五絕緣層包含金屬和氧或氮，

并且，所述第六絕緣層包括接觸于所述第五絕緣層的頂面及側(cè)面的區(qū)域及接觸于所述第一絕緣層的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第三絕緣層、所述第四絕緣層及所述第五絕緣層包含鋁或鉿和氧或氮。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第七絕緣層及第四導(dǎo)電層，

其中所述第七絕緣層位于所述第一絕緣層與所述第三導(dǎo)電層之間，

所述第四導(dǎo)電層包括與所述第一導(dǎo)電層重疊的區(qū)域，

并且所述第七絕緣層包含金屬和氧或氮。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七絕緣層包含鋁或鉿和氧或氮。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第八及第九絕緣層，

其中所述第九絕緣層位于所述第一絕緣層及所述第四絕緣層上，

所述第八絕緣層位于所述第一絕緣層與所述第九絕緣層之間，

并且所述第九絕緣層包含金屬和氧或氮。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第九絕緣層包含鋁或鉿和氧或氮。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，還包括設(shè)置在所述第五絕緣層及第六絕緣層中的第三開口，

其中第二絕緣層及第一導(dǎo)電層位于所述第三開口的內(nèi)側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體層包含金屬氧化物。

9.一種顯示裝置，包括：

權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置；以及

與所述半導(dǎo)體裝置電連接的液晶元件或發(fā)光元件。