[發明專利]邊緣發射的激光棒

有效

• 申請號: 201880056415.7
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN111108655B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 艾爾弗雷德·萊爾;穆罕默德·阿利;貝恩哈德·施托耶茨;哈拉爾德·柯尼希
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/042;H01S5/22;H01S5/323;H01S5/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;丁永凡

1.一種邊緣發射的激光棒(100)，所述激光棒(100)包括：

-基于AlInGaN的半導體層序列(1)，所述半導體層序列具有接觸側(10)和用于產生激光輻射的有源層(11)，

-多個沿側面的橫向方向并排地并且彼此間隔開地設置的單個發射器(2)，所述單個發射器在符合規定的運行中分別發射激光輻射，

-多個沿側面的橫向方向并排地并且彼此間隔開地設置在所述接觸側(10)上的接觸元件(20)，用于電接觸所述單個發射器(2)，其中每個接觸元件(20)與單個反射器(2)相關聯，其中

-每個接觸元件(20)經由所述接觸側(10)的連通的接觸區域(12)導電地耦合到所述半導體層序列(1)上，使得經由所述接觸區域(12)能夠實現在所述半導體層序列(1)與所述接觸元件(20)之間的電通流，

-所述激光棒(100)在兩個相鄰的單個發射器(2)之間的區域中具有熱解耦結構(3)，所述熱解耦結構對抗在兩個相鄰的單個發射器(20)之間的熱交換，其中

-所述解耦結構(3)包括施加在所述接觸側(10)上的、導電的冷卻元件(30)，所述冷卻元件完全覆蓋所述接觸側(10)的連通的冷卻區域(13)，

-所述冷卻元件(30)沿著所述冷卻區域(13)與所述半導體層序列(1)電絕緣，并且沿著所述冷卻區域(13)熱耦合到所述半導體層序列(1)上，

-所述冷卻區域(13)具有沿著側面的橫向方向測量的寬度，所述寬度是相鄰的接觸區域(12)的寬度的至少一半大，

-在所述冷卻區域(13)中，所述冷卻元件(30)通過分隔層(31)與所述半導體層序列(1)的接觸側(10)間隔開，并且所述分隔層(31)具有至少50W/(m·K)的熱導率，和/或

-所述半導體層序列(1)在所述接觸區域(12)的區域中分別具有接觸層(23)，所述接觸層確保在所述接觸元件(20)與所述半導體層序列(1)之間的電接觸，其中在所述解耦結構(3)的區域中不存在所述接觸層(23)，并且所述冷卻元件(30)由于缺少所述接觸層(23)與所述冷卻區域(13)電絕緣。

2.根據權利要求1所述的激光棒(100)，

其中所述接觸元件(20)彼此分離并且不是連通的。

3.根據權利要求1或2所述的激光棒(100)，

其中所述冷卻元件(30)通過與所述解耦結構(3)相鄰的單個反射器(2)的接觸元件(20)形成。

4.根據權利要求1或2所述的激光棒，

其中所述分隔層(31)具有下述材料之一或由其構成：SiC、DLC、AlN。

5.根據權利要求3所述的激光棒，其中

-在單個發射器(2)的兩側設有各自具有冷卻元件(30)的解耦結構(3)，和

-在兩側設置的兩個解耦結構(3)的所述冷卻元件(30)通過所述單個發射器(2)的所述接觸元件(20)形成。

6.根據權利要求1或2所述的激光棒(100)，其中

-所述冷卻元件(30)是與所述接觸元件(20)分開的元件，所述冷卻元件在側面的橫向方向上與所述接觸元件(20)間隔開，

-所述冷卻元件(30)與所述半導體層序列(1)完全電絕緣。

7.根據權利要求6所述的激光棒(100)，其中

-所述冷卻元件(30)具有與所述接觸元件(20)相同的材料組分，

-在制造公差的范圍內，所述冷卻元件(30)具有與各個接觸元件(20)相同的側面尺寸。

8.根據權利要求1或2所述的激光棒(100)，其中

-所述半導體層序列(1)在所述接觸側(11)上具有多個在側面的橫向方向上間隔開的、平行伸展的肋(15)，

-每個單個發射器(2)包括肋(15)，其中所述接觸區域(12)分別在所述肋(15)的區域中構成，使得為了所述單個發射器(2)的運行，將載流子從所屬的接觸元件(20)經由所屬的肋(15)注入到所述有源層(10)中。