[發明專利]指定讀取命令的讀取電壓偏移量的方法和裝置在審
| 申請號: | 201880056412.3 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN111095418A | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發明(設計)人: | A·S·馬德拉斯瓦拉;X·郭;N·V·普拉布;Y·杜;P·S·蘇萊 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | G11C16/26 | 分類號: | G11C16/26;G11C16/30;G11C16/04 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉炳勝 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 指定 讀取 命令 電壓 偏移 方法 裝置 | ||
1.一種裝置,包括:
存儲器陣列;和
控制器,其用于:
接收指定讀取電壓偏移量配置文件標識符的第一讀取命令;
識別與所述讀取電壓偏移量配置文件標識符相關聯的讀取電壓偏移量配置文件,所述讀取電壓偏移量配置文件包括至少一個讀取電壓偏移量;以及
使用根據所述讀取電壓偏移量配置文件中的所述至少一個讀取電壓偏移量調整的至少一個讀取電壓,執行由所述第一讀取命令指定的第一讀取操作。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取電壓偏移量配置文件標識符是在所述讀取命令的地址周期中指定的。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中所述控制器:
接收在所述讀取命令的地址周期中指定默認讀取電壓偏移量配置文件標識符的第二讀取命令;以及
基于所述默認讀取電壓偏移量配置文件標識符,確定不針對第二讀取操作調整所述至少一個讀取電壓。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取電壓偏移量配置文件標識符是在所述讀取命令的最后一個地址周期中指定的。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取電壓偏移量配置文件標識符是在所述第一讀取命令的命令周期中指定的。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取電壓偏移量配置文件標識符是在所述第一讀取命令的最后一個命令周期期間發送的操作碼中指定的。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取電壓偏移量配置文件標識符是在所述第一讀取命令的第一命令周期期間發送的操作碼中指定的。
8.根據權利要求1所述的裝置,所述控制器進一步:
接收指定所述至少一個讀取偏移量電壓和所述讀取電壓偏移量配置文件標識符的配置命令;以及
在存儲器中與所述讀取電壓偏移量配置文件標識符相關聯地存儲所述至少一個讀取偏移量電壓。
9.根據權利要求1所述的裝置,進一步包括第二控制器,用于基于所述讀取命令所針對的數據的年限從多個讀取電壓偏移量配置文件標識符中選擇所述讀取電壓偏移量配置文件標識符。
10.根據權利要求1所述的裝置,其中所述讀取命令是多平面讀取命令,并且至少一個經調整的讀取電壓被應用于從所述多平面讀取命令中指定的多個平面中的每個平面讀取數據。
11.一種方法,包括:
接收指定讀取電壓偏移量配置文件標識符的第一讀取命令;
識別與所述讀取電壓偏移量配置文件標識符相關聯的讀取電壓偏移量配置文件,所述讀取電壓偏移量配置文件包括至少一個讀取電壓偏移量;以及
使用根據所述讀取電壓偏移量配置文件中的所述至少一個讀取電壓偏移量調整的至少一個讀取電壓來執行由所述第一讀取命令指定的第一讀取操作。
12.根據權利要求11所述的方法,進一步包括在所述讀取命令的地址周期中指定所述讀取電壓偏移量配置文件標識符。
13.根據權利要求11所述的方法,進一步包括在所述第一讀取命令的命令周期中指定所述讀取電壓偏移量配置文件標識符。
14.根據權利要求11所述的方法,進一步包括:
接收指定所述至少一個讀取偏移量電壓和所述讀取電壓偏移量配置文件標識符的配置命令;以及
在存儲器中與所述讀取電壓偏移量配置文件標識符相關聯地存儲所述至少一個讀取偏移量電壓。
15.根據權利要求11所述的方法,進一步包括基于所述讀取命令所針對的數據的年限從多個讀取電壓偏移量配置文件標識符中選擇所述讀取電壓偏移量配置文件標識符。
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