[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號： | 201880056266.4 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN111066127B | 公開（公告）日： | 2023-09-12 |
| 發明（設計）人： | 巖尾通矩;村元僚 | 申請（專利權）人： | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B08B3/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋曉寶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置，包含：
基板保持單元，包含具有上表面的旋轉基座以及立設于所述上表面的多個銷，用以通過所述多個銷保持基板；
阻隔構件，具有：基板對向面，與被所述基板保持單元保持的基板的上表面對向；以及內周面，與被所述基板保持單元保持的基板的外周端以及所述旋轉基座的外周端雙方對向；
旋轉單元，使所述旋轉基座以及所述阻隔構件繞著預定的旋轉軸線旋轉；以及
正壓生成構件，在被所述旋轉基座的所述上表面、所述基板對向面以及所述內周面劃分的空間中，以能伴隨所述阻隔構件以及所述旋轉基座中的至少一者的旋轉而旋轉的方式設置于比所述銷還遠離所述旋轉軸線的位置，且隨著所述阻隔構件以及所述旋轉基座中的至少一者的旋轉將所述正壓生成構件的旋轉方向后方設定成正壓區域，
所述正壓生成構件以所述旋轉基座的外周端與所述內周面之間的徑向的距離變成比所述正壓生成構件的外側緣與所述內周面之間的徑向的最長距離還窄的方式設置。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其中，
所述正壓生成構件包含：連接正壓生成構件，以連接至所述旋轉基座的所述上表面以及所述基板對向面的方式設置。
3.如權利要求2所述的基板處理裝置，其中，
所述連接正壓生成構件包含：第一卡合構件以及第二卡合構件，分別設置于所述旋轉基座的所述上表面以及所述基板對向面，用以彼此卡合；
所述阻隔構件經由彼此卡合的第一卡合構件以及第二卡合構件而被所述旋轉基座支撐。
4.一種基板處理裝置，包含：
基板保持單元，包含具有上表面的旋轉基座以及立設于所述上表面的多個銷，用以通過所述多個銷保持基板；
阻隔構件，具有：基板對向面，與被所述基板保持單元保持的基板的上表面對向；以及內周面，與被所述基板保持單元保持的基板的外周端以及所述旋轉基座的外周端雙方對向；
旋轉單元，使所述旋轉基座以及所述阻隔構件繞著預定的旋轉軸線旋轉；以及
正壓生成構件，在被所述旋轉基座的所述上表面、所述基板對向面以及所述內周面劃分的空間中，以能伴隨所述阻隔構件以及所述旋轉基座中的至少一者的旋轉而旋轉的方式設置于比所述銷還遠離所述旋轉軸線的位置，且隨著所述阻隔構件以及所述旋轉基座中的至少一者的旋轉將所述正壓生成構件的旋轉方向后方設定成正壓區域，
所述正壓生成構件設置于所述旋轉基座的所述上表面以及所述基板對向面中的一者，
所述正壓生成構件的頂端與所述旋轉基座的所述上表面以及所述基板對向面中的所述一者之間的距離，以比被所述基板保持單元保持的基板與所述旋轉基座的所述上表面以及所述基板對向面中的所述一者之間的距離還大的方式設置。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
