[發(fā)明專利]用于氫氣可控儲(chǔ)存的方法和裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880055564.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111032565A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尼爾·英格力士;克里斯蒂安·伯恩翰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛爾蘭國立大學(xué)都柏林大學(xué)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | C01B3/00 | 分類號(hào): | C01B3/00;C10L3/10;F17C1/00;F17C11/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強(qiáng) |
| 地址: | 愛爾蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 氫氣 可控 儲(chǔ)存 方法 裝置 | ||
1.一種用于可釋放地儲(chǔ)存氫氣的方法,所述方法包括:
在儲(chǔ)存體積內(nèi)形成籠形包合物水合物結(jié)構(gòu),所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)包含具有多個(gè)保存氣體分子的空腔的晶格,在所述空腔中捕獲了要儲(chǔ)存的氫氣分子;以及
將電磁場施加到所述儲(chǔ)存體積以可控地將所述氫氣從所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中轉(zhuǎn)移出來或轉(zhuǎn)移到所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中,其中對(duì)所述電磁場的場強(qiáng)度進(jìn)行了選擇以避免所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)發(fā)生離解。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述電磁場是微波電磁場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,所述方法包括調(diào)節(jié)所述電磁場的場強(qiáng)度以控制將所述氫氣從所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中轉(zhuǎn)移出來或轉(zhuǎn)移到所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中的速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述電磁場的所述場強(qiáng)度是非零的,并且在所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)晶格的固有場的至多1%的范圍內(nèi)是可調(diào)節(jié)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述電磁場的所述場強(qiáng)度的均方根振幅在0.000001至的范圍內(nèi)是可調(diào)節(jié)的。
6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法,其中所述電磁場的場強(qiáng)度比所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)晶格的固有場小三個(gè)或更多個(gè)數(shù)量級(jí)。
7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法,其中以脈沖方式施加所述電磁場。
8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法,所述方法包括監(jiān)測所述儲(chǔ)存體積中的溫度和壓力條件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,所述方法包括基于所述溫度和壓力條件確定所述氫氣的釋放速率,以及提供反饋信號(hào)以基于所確定的釋放速率控制所述電磁場。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,所述方法包括檢測所述儲(chǔ)存體積中的溫度,以及基于所檢測到的溫度操作冷卻劑系統(tǒng)以控制所述儲(chǔ)存體積中的所述溫度條件。
11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法,其中所述籠形包合物水合物包含sII多晶型物晶格結(jié)構(gòu),所述sII多晶型物晶格結(jié)構(gòu)具有多個(gè)較大的保存氣體分子的空腔,以及被所述氫氣占據(jù)的多個(gè)較小的保存氣體分子的空腔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述多個(gè)較大的保存氣體分子的空腔被丙烷、甲烷或二氧化碳占據(jù)。
13.一種用于可釋放地儲(chǔ)存氫氣的裝置,所述裝置包括:
容器,所述容器限定用于容納籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存體積,所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)包含具有多個(gè)保存氣體分子的空腔的晶格,在所述空腔中捕獲了要儲(chǔ)存的氫氣分子;
電磁場發(fā)生器,所述電磁場發(fā)生器被布置成發(fā)射穿過所述儲(chǔ)存體積的電磁場以可控地從所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中釋放所述氫氣;以及
出口,所述出口與所述儲(chǔ)存體積可連通地連接以允許所釋放的氫氣離開所述容器,
其中所述電磁場的場強(qiáng)度被加以選擇以避免所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)發(fā)生離解。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,所述裝置包括控制器,所述控制器被布置成選擇性地調(diào)節(jié)所述電磁場的場強(qiáng)度以控制所述氫氣從所述籠形包合物水合物結(jié)構(gòu)中釋放的速率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,所述裝置包括:
溫度傳感器,所述溫度傳感器被布置成監(jiān)測所述儲(chǔ)存體積的溫度;以及
壓力傳感器,所述壓力傳感器被布置成監(jiān)測所述儲(chǔ)存體積的壓力,
其中所述溫度傳感器和所述壓力傳感器可通信地連接至所述控制器,由此所述控制器被布置成基于所檢測到的所述儲(chǔ)存體積中的溫度和壓力條件來調(diào)節(jié)所述電磁場的所述場強(qiáng)度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于愛爾蘭國立大學(xué)都柏林大學(xué)學(xué)院,未經(jīng)愛爾蘭國立大學(xué)都柏林大學(xué)學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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