[發明專利]用于離子束加速的射頻諧振器

有效

• 申請號: 201880055563.7
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN111052297B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 舒·佐藤
• 申請（專利權）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號: H01J37/248
• 分類號: H01J37/248;H01J37/317;H01J5/34;H01J5/56
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 劉新宇;壽寧

1.一種用于離子注入系統的射頻饋通裝置，包括：

電絕緣錐體，其具有第一錐端和第二錐端，其中，所述電絕緣錐體為空心并在第一錐端具有第一開口且在第二錐端具有第二開口，其中，所述第一開口具有與其相關的第一直徑，而所述第二開口具有與其相關的第二直徑，且其中，所述第一直徑大于所述第二直徑，以限定所述電絕緣錐體的錐形側壁；

桿體，其操作性耦接到所述電絕緣錐的第二錐端，其中，所述桿體穿過所述電絕緣錐體的第一開口和第二開口；以及

凸緣，其操作性耦接到所述電絕緣錐體的第一錐端，其中，所述凸緣具有限定于其中的凸緣開口，其中，所述凸緣開口具有與其相關的第三直徑，其中，所述第三直徑小于所述第一直徑，且其中，所述桿體穿過所述凸緣開口而不接觸所述凸緣，且其中，所述凸緣配置成使所述電絕緣錐體操作性耦接到腔壁中限定的通孔，其中，所述電絕緣錐體和所述凸緣配置成使所述桿體穿過腔壁中的通孔，同時使所述桿體與腔壁電絕緣。

2.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，進一步包括墊帽，其在接近所述凸緣的區域中操作性耦接到所述桿體，其中，所述墊帽從所述桿體的外徑向外延伸預定距離，以阻擋從腔室內區域到錐體內表面的視距。

3.根據權利要求2所述的射頻饋通裝置，其中，所述墊帽具有與其相關的第四直徑，其中，所述第四直徑大于所述第三直徑。

4.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，所述凸緣由鋁制成。

5.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，所述桿體包括第一桿端和第二桿端，其中，所述第一桿端包括操作性耦接于此的加速電極，且其中，所述第二桿端配置成耦接到諧振線圈。

6.根據權利要求5所述的射頻饋通裝置，其中，所述電絕緣錐體、所述桿體、所述凸緣和所述腔壁之間的相應交界使腔室內的腔室環境相對于與所述諧振線圈相關的環境密封。

7.根據權利要求6所述的射頻饋通裝置，其中，一個或多個O形圈密封所述凸緣與所述電絕緣錐體之間的交界，而另外一個或多個O形圈密封所述桿體與所述電絕緣錐體之間的交界。

8.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，使所述電絕緣錐體的第一端的第一表面和所述電絕緣錐體的第二端的第二表面金屬化。

9.根據權利要求8所述的射頻饋通裝置，進一步包括布置于所述電絕緣錐體的第一端的第一表面與所述凸緣之間的一個或多個金屬短路片，以及布置于所述電絕緣錐體的第二表面與所述桿體之間的一個或多個金屬短路片。

10.根據權利要求9所述的射頻饋通裝置，其中，所述一個或多個金屬短路片包括一個或多個金屬彈簧。

11.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，所述電絕緣錐體的主體由陶瓷制成。

12.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，所述電絕緣錐體的主體包括氧化鋁和石英中的一種或多種。

13.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，進一步包括一個或多個定位特征，其配置成使所述電絕緣錐體操作性耦接到所述凸緣，從而經由所述一個或多個定位特征使所述電絕緣錐體的位置相對于所述凸緣選擇性固定。

14.根據權利要求1所述的射頻饋通裝置，其中，所述電絕緣錐體包括圓柱形區域，所述圓柱形區域從所述電絕緣錐體的第一端向所述電絕緣錐體的第二端延伸預定距離到拐點，其中，所述圓柱形區域具有固定的直徑，且其中，所述電絕緣錐體的內徑從拐點向所述電絕緣錐體的第二端漸成錐形。

15.根據權利要求14所述的射頻饋通裝置，其中，所述電絕緣錐體包括所述電絕緣錐體的第一端與所述凸緣之間的交界面，其中，所述交界面在所述圓柱形區域中垂直于所述電絕緣錐體的內表面。