[發(fā)明專利]低電壓調(diào)節(jié)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880055530.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111108459B | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·B·伊皮利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 賽靈思公司 |
| 主分類號(hào)： | G05F1/575 | 分類號(hào)： | G05F1/575;G05F1/46 |
| 代理公司： | 北京市君合律師事務(wù)所 11517 | 代理人： | 毛健;程爍宇 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電壓 調(diào)節(jié)器 | ||
1.一種用于電壓調(diào)節(jié)的集成電路，其特征在于，包括：
(a)第一差分運(yùn)放(120)，其被配置為接收參考電壓(106)和反饋電壓(141)，并生成放大信號(hào)(121)；
(b)第二電路(110)，其包括：
第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管(111)和第二PMOS晶體管(112)，其相應(yīng)的源極端子耦接到電源總線，并且其相應(yīng)的柵極端子共同耦接到第一連接節(jié)點(diǎn)(138)；
具有第一柵極端子、第一源極端子和第一漏極端子(136)的第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管(113)，其中所述第一柵極端子被耦接以接收所述反饋電壓(141)，所述第一漏極端子(136)耦接到所述第一PMOS晶體管(111)的漏極節(jié)點(diǎn)，并且所述第一源極端子耦接到電容器節(jié)點(diǎn)(134)；
具有第二柵極端子、第二源極端子和第二漏極端子的第二NMOS晶體管(114)，其中所述第二柵極端子被耦接以接收所述參考電壓(106)，所述第二漏極端子(137)耦接到所述第二PMOS晶體管(112)的漏極節(jié)點(diǎn)；并且所述第二源極端子耦接到所述電容器節(jié)點(diǎn)(134)；
第一電阻器(116)，其耦接在所述第一連接節(jié)點(diǎn)(138)和所述第一漏極節(jié)點(diǎn)(136)之間；
第二電阻器(117)，其耦接在所述第一連接節(jié)點(diǎn)(138)和所述第二漏極節(jié)點(diǎn)(137)之間；以及，
電流源晶體管(115)，其具有耦接到所述電容器節(jié)點(diǎn)(134)的第三漏極端子以及被配置為接收所述放大信號(hào)(121)的第三柵極端子(149)；
(c)驅(qū)動(dòng)器晶體管(104)，其被配置為在輸出電壓節(jié)點(diǎn)(140)處提供輸出電壓(150)，并從所述第一連接節(jié)點(diǎn)(138)接收選通電壓輸出(148)；以及，
(d)第一電容器(135)，其連接在所述第一連接節(jié)點(diǎn)(138)和所述電容器節(jié)點(diǎn)(134)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括第三電阻器(125)，其耦接在所述第一差分運(yùn)放(120)的輸出節(jié)點(diǎn)(132)與所述第三柵極端子(149)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括電阻器(125)，其耦接在所述第一差分運(yùn)放(120)的輸出節(jié)點(diǎn)(132)與所述電流源晶體管(115)的柵極節(jié)點(diǎn)(149)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括濾波器，其具有第四電阻器(124)和第二電容器(145)，所述第四電阻器(124)串聯(lián)連接到所述第二電容器(145)，且其中所述濾波器耦接在所述第一差分運(yùn)放(120)的輸出節(jié)點(diǎn)(132)與接地總線(102)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器晶體管(104)包括FinFET晶體管(104)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，還包括階梯電阻器(107)，其連接在所述輸出電壓節(jié)點(diǎn)(140)和接地總線(102)之間，并且被配置為提供所述反饋電壓，所述反饋電壓是所述輸出電壓(150)的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述輸出電壓(150)是所述反饋電壓(141)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器晶體管(104)或所述電流源晶體管(115)是多柵極晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，還包括自偏置電路(155)，其被配置為向所述第一差分運(yùn)放(120)提供偏置電壓(156)。
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