[發(fā)明專(zhuān)利]聚合物結(jié)晶組合物及其制造方法與用途有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880055424.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111051409B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 提奧多·斯特恩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 阿里爾科學(xué)創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C08J9/26 | 分類(lèi)號(hào): | C08J9/26;C08J5/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 以色列*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚合物 結(jié)晶 組合 及其 制造 方法 用途 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種組合物包含一聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有多個(gè)薄片及/或多重片狀結(jié)構(gòu),且缺乏以2300倍的放大倍率、10毫米的工作距離與15千伏的加速電壓運(yùn)作的掃描式電子顯微鏡可觀(guān)察到的無(wú)定形材料的痕跡。
本發(fā)明在一些實(shí)施例中是有關(guān)于一種聚合物材料,且非獨(dú)占地特別是有關(guān)于一種聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu)及其制造方法與用途。
聚合物材料展現(xiàn)廣泛的性質(zhì)與應(yīng)用,并且達(dá)到許多應(yīng)用的要求。
聚合物通常結(jié)晶成稱(chēng)為薄片(lamellae)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)單元,經(jīng)常形成多重片狀(multi-lamellar)結(jié)構(gòu)或分枝的多重片狀結(jié)構(gòu)、樹(shù)狀結(jié)構(gòu)或分層多重片狀結(jié)構(gòu)。上述多重片狀結(jié)構(gòu)能呈現(xiàn)種類(lèi)繁多的形態(tài),但經(jīng)常以準(zhǔn)徑向?qū)ΨQ(chēng)為其特征并因此被稱(chēng)為球晶、軸晶或束狀結(jié)構(gòu)。個(gè)體薄片與組成多重片狀結(jié)構(gòu)的薄片可以有多種長(zhǎng)度、寬度與空間組態(tài)。每一個(gè)體薄片的厚度可以小至納米尺度,在此情況下所述個(gè)體薄片被稱(chēng)為納米薄片(nano-lamella)。
納米薄片通過(guò)聚合物鏈折迭結(jié)晶化機(jī)制形成,上述通常發(fā)生在垂直于薄片軸向的方向上。
在傳統(tǒng)應(yīng)用于可結(jié)晶聚合物的結(jié)晶化技術(shù)中,由于聚合物的不可結(jié)晶部分的存在,使得結(jié)晶化過(guò)程并不完整,其中所述不可結(jié)晶部分源自于例如多分散性、鏈折迭、鏈纏結(jié)及/或節(jié)間干擾[1-6]。其結(jié)果導(dǎo)致即使稱(chēng)為「可結(jié)晶」聚合物卻變成只能部分結(jié)晶化。上述不可結(jié)晶部分在結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)被排除并累積在結(jié)晶體周?chē)捌瑺罱Y(jié)構(gòu)間(inter-lamellar)的空隙內(nèi),形成無(wú)定形相態(tài)(amorphous phase)的聚合物。不可結(jié)晶部分的相對(duì)量,視聚合物的類(lèi)型、其純度、平均分子量、分子量分布、分枝、鏈纏結(jié)、鏈折迭等因素而定。
已知多種蝕刻技術(shù)能夠部分移除聚合物的無(wú)定形相態(tài)。這些技術(shù)包括使用酸、高錳酸鹽、電子束轟炸、離子束轟炸及等離子體進(jìn)行蝕刻[7-12]。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,本發(fā)明提供一種組合物。所述組合物包含一聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有多個(gè)薄片及/或多重片狀結(jié)構(gòu),且缺乏以2300倍的放大倍率、10毫米的工作距離與15千伏的加速電壓運(yùn)作的掃描式電子顯微鏡(SEM)可觀(guān)察到的無(wú)定形材料的痕跡(trace)。
根據(jù)一些實(shí)施例,所述多重片狀結(jié)構(gòu)的至少一部分形成多個(gè)納米片狀結(jié)構(gòu)的一集束。
根據(jù)一些實(shí)施例,提供了一組合物,所述組合物包含一聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有多個(gè)薄片及/或多重片狀結(jié)構(gòu),其中所述薄片及/或多重片狀結(jié)構(gòu)缺乏以具2300倍的放大倍率、10毫米的工作距離與15千伏的加速電壓運(yùn)作的掃描式電子顯微鏡可觀(guān)察到的無(wú)定形材料的痕跡。
根據(jù)一些實(shí)施例,提供了一組合物包含一聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述聚合物結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有多個(gè)薄片及/或片狀結(jié)構(gòu)集束,且缺乏無(wú)定形材料的痕跡,其中所述薄片及/或片狀結(jié)構(gòu)集束缺乏以具2300倍放大倍率、10毫米的工作距離與15千伏的加速電壓運(yùn)作的掃描式電子顯微鏡可觀(guān)察到的蝕刻邊緣。
根據(jù)一些實(shí)施例,提供了一組合物,所述組合物包含一結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有包含一聚合物的多個(gè)納米片狀結(jié)構(gòu)的一集束,其中所述集束中的所述納米片狀結(jié)構(gòu)的每個(gè)皆缺乏以具2300倍的放大倍率、10毫米的工作距離與15千伏的加速電壓運(yùn)作的掃描式電子顯微鏡可觀(guān)察到的蝕刻邊緣。
根據(jù)一些實(shí)施例,提供了一組合物,所述組合物包含一結(jié)晶結(jié)構(gòu),所述結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有包含一聚合物的多個(gè)納米片狀結(jié)構(gòu)的多個(gè)集束,其中所述結(jié)晶結(jié)構(gòu)的一第一側(cè)面與一基質(zhì)接合,且所述晶體結(jié)構(gòu)的一第二側(cè)面保持自由;其中位于所述第二側(cè)面的多個(gè)集束間空洞在約10平方微米的一面積且約1微米的厚度的一區(qū)域內(nèi)具有至少1微米的一平均直徑,且缺乏任何無(wú)定形材料。
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C08J 加工;配料的一般工藝過(guò)程;不包括在C08B,C08C,C08F,C08G或C08H小類(lèi)中的后處理
C08J9-00 高分子物質(zhì)加工成多孔或蜂窩狀制品或材料:它們的后處理
C08J9-02 .使用高分子在制備或改性過(guò)程中由單體或改性劑反應(yīng)而產(chǎn)生的發(fā)泡氣體
C08J9-04 .使用由預(yù)先加入的發(fā)泡劑所產(chǎn)生的發(fā)泡氣體
C08J9-16 .可膨脹粒子的制造
C08J9-22 .可膨脹粒子的后處理;形成泡沫產(chǎn)品
C08J9-24 .將粒子表面熔融和結(jié)合來(lái)形成空隙,如燒結(jié)
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