[發(fā)明專利]熒光體、發(fā)光裝置、圖像顯示裝置和照明裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880055251.6
• 申請(qǐng)日: 2018-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN111051472A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高階志保;井阪雅仁;大石敦史;小室直之;長(zhǎng)谷川龍一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09K11/64
• 分類號(hào): C09K11/64;F21S2/00;H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;李書慧

1.一種熒光體，包含下述式[1]表示的晶相，

通過哈爾德－瓦格納法計(jì)算的微觀應(yīng)變?yōu)?.049％以下，

Eu_aSi_bAl_cO_dN_e[1]

式中，a、b、c、d、e分別為滿足下述范圍的值，

0＜a≤0.2

5.6＜b≤5.994

0.006≤c＜0.4

b+c＝6

0.006≤d＜0.4

7.6＜e≤7.994。

2.一種熒光體，包含下述式[1]表示的晶相，

通過哈爾德－瓦格納法計(jì)算的微觀應(yīng)變?yōu)?.020％以下，

Eu_aSi_bAl_cO_dN_e[1]

式中，a、b、c、d、e分別為滿足下述范圍的值，

0＜a≤0.2

5.6＜b≤5.994

0.006≤c＜0.4

b+c＝6

0.006≤d＜0.4

7.6＜e≤7.994。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熒光體，其中，微晶尺寸為100nm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的熒光體，其中，所述微觀應(yīng)變?yōu)?.002％以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的熒光體，其中，通過照射具有300nm～500nm的波長(zhǎng)的激發(fā)光，在500nm～560nm的波長(zhǎng)范圍具有發(fā)光峰。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的熒光體，其中，發(fā)光光譜的半峰寬為55nm以下。

7.一種發(fā)光裝置，具備第1發(fā)光體和通過照射來自該第1發(fā)光體的光而發(fā)出可見光的第2發(fā)光體，

該第2發(fā)光體包含權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的熒光體中的1種以上作為第1熒光體。

8.一種照明裝置，包含權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置作為光源。

9.一種圖像顯示裝置，包含權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置作為光源。