[發明專利]用于互連的擴散阻擋襯層

在審

• 申請號: 201880055006.5
• 申請日: 2018-10-01
• 公開（公告）號: CN111095532A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: R·坎卡爾;C·E·尤佐
• 申請（專利權）人: 伊文薩思粘合技術公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/52;H01L23/532
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種微電子組件，包括：

第一襯底，所述第一襯底具有第一基本平坦表面，所述第一襯底包括絕緣材料；

第二襯底，所述第二襯底具有第一基本平坦表面，所述第二襯底包括絕緣材料，所述第二襯底的所述第一表面在沒有粘合劑的情況下直接結合到所述第一襯底的所述第一表面；

第一導電互連結構，所述第一導電互連結構嵌入所述第一襯底中，所述第一導電互連結構的表面通過所述第一襯底的所述第一表面暴露以形成第一互連焊盤；

第二導電互連結構，所述第二導電互連結構嵌入所述第二襯底中，所述第二導電互連結構的表面通過所述第二襯底的所述第一表面暴露以形成第二互連焊盤；和

第一阻擋界面，所述第一阻擋界面設置在所述第一襯底的所述第一基本平坦表面處，并至少部分地圍繞所述第一互連焊盤的周邊，從而在所述第一基本平坦表面處將所述第一導電互連結構與所述絕緣材料分離，所述第一阻擋界面包括不同于所述第一襯底的所述絕緣材料的材料，所述第一阻擋界面的至少一部分延伸預定深度到所述第一襯底中，所述預定深度小于所述第一導電互連結構的深度。

2.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面被布置用于抑制所述第二導電互連結構的材料擴散到所述第一襯底中。

3.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面由導電材料構成。

4.根據權利要求3所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面由鈷、氮化鈦、氮化鉭、鎳或鎳合金構成。

5.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面為單層，所述單層包括：

第一部分，所述第一部分延伸預定深度到所述第一襯底中，所述預定深度小于所述第一導電互連結構的深度，和

第二部分，所述第二部分從所述第一部分并沿著所述第一導電互連結構的表面延伸。

6.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面設置在所述第一襯底的所述第一基本平坦表面的至少一部分上，并且被布置成保護所述第一基本平坦表面免受由于所述第一基本平坦表面的平坦化或拋光引起的侵蝕。

7.根據權利要求1所述的微電子組件，進一步包括設置在所述第二襯底處并至少部分地圍繞所述第二互連焊盤的周邊的第二阻擋界面，所述第二阻擋界面包括不同于所述第二襯底的絕緣材料的材料。

8.根據權利要求7所述的微電子組件，其中所述第二阻擋界面被布置成抑制所述第一導電互連結構的材料擴散到所述第二襯底中。

9.根據權利要求7所述的微電子組件，其中所述第一導電互連結構的材料到所述第一阻擋界面的所述材料或所述第二阻擋界面的所述材料中的擴散率或所述第二導電互連結構的材料到所述第一阻擋界面的所述材料或所述第二阻擋界面的所述材料中的擴散率小于所述第一導電互連結構的材料到所述第一襯底的所述材料或所述第二襯底的所述材料中的擴散率或所述第二導電互連結構的材料到所述第一襯底的所述材料或所述第二襯底的所述材料中的擴散率。

10.根據權利要求1所述的微電子組件，其中所述第一襯底的所述材料或所述第二襯底的所述材料包含氧化硅。

11.根據權利要求1所述的微電子組件，進一步包括：嵌入在所述第一襯底中的多個附加第一導電互連結構，所述附加第一導電互連結構中的每一個的表面通過所述第一襯底的第一表面暴露，以形成多個附加第一互連焊盤；嵌入所述第二襯底中的多個附加第二導電互連結構，所述附加第二導電互連結構中的每一個的表面通過所述第二襯底的第一表面暴露，以形成多個附加第二互連焊盤；并且其中所述第一阻擋界面至少部分地圍繞所述第一互連焊盤和所述多個附加第一互連焊盤的至少一個子集。

12.根據權利要求11所述的微電子組件，其中所述第一阻擋界面被布置用于抑制所述第二導電互連結構和所述多個附加第二導電互連結構的材料擴散到所述第一襯底中。