[發明專利]存儲器地址驗證方法和使用所述方法的存儲器裝置

在審

• 申請號: 201880054958.5
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN111033483A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: A·特羅亞
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F12/1009
• 分類號: G06F12/1009;G06F12/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

提供了一種存儲器裝置以及操作所述存儲器裝置的方法。所述存儲器裝置包含存儲器格陣列、非易失性存儲器和控制器。所述控制器被配置成接收用于從所述陣列的地址讀取數據字的讀取命令并且解碼所述地址以生成經過解碼的地址。所述控制器被進一步配置成從所述陣列的所述經過解碼的地址中檢索響應數據，從所述非易失性存儲器中檢索對應于所述經過解碼的地址的位置標記，并且驗證所述位置標記對應于所述地址。所述控制器可以任選地被進一步配置成如果所述位置標記不對應于所述地址，則指示錯誤。

相關申請的交叉引用

本申請含有與阿爾貝托·特羅亞(Alberto Troia)同時提交的題為“存儲器地址驗證方法和使用所述方法的存儲器裝置(METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION ANDMEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME)”的美國專利申請相關的主題。公開內容通過引用并入本文的所述相關申請轉讓給美光科技公司(Micron Technology,Inc.)，并且通過代理人案號010829-9241.US00標識。

技術領域

本公開總體上涉及存儲器裝置，并且更具體地涉及存儲器地址驗證方法和使用所述方法的存儲器裝置。

背景技術

存儲器裝置通常以內部半導體集成電路和/或外部可移動裝置的形式設置于計算機或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性存儲器和非易失性存儲器。包含隨機存取存儲器(RAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等的易失性存儲器可能需要施加電源來維持其數據。相比而言，非易失性存儲器即使不使用外部電源也可以保留其存儲的數據。非易失性存儲器可用于各種技術中，包含閃存(例如，NAND和NOR)相變存儲器(PCM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)和磁性隨機存儲器(MRAM)等。

存儲器裝置可以包含用于存儲數據的大型存儲器格陣列，所述存儲器格陣列通常組織成行和列。單獨的存儲器格和/或存儲器格范圍可以通過其行和列來尋址。當對存儲器陣列進行尋址時，可能存在一或多個用于例如在主機裝置所利用的邏輯地址與對應于存儲器陣列中的位置的物理地址之間進行轉換的地址轉換層。盡管不常見，但在存儲器裝置的命令/地址總線上提供給存儲器裝置的地址信息可能會因錯誤而損壞，使得可能對與主機裝置所請求的物理地址不同的物理地址執行存儲器裝置的內部操作(例如，讀取操作、寫入操作、擦除操作等)。因此，需要一種驗證已經在預期地址處執行存儲器操作的方法。

附圖說明

圖1是展示了根據本發明技術的實施例的存儲器系統的框圖。

圖2示意性地展示了根據本發明技術的實施例的存儲器裝置。

圖3示意性地展示了根據本發明技術的實施例的存儲器裝置。

圖4是展示了根據本發明技術的實施例的操作存儲器裝置的方法的流程圖。

圖5是展示了根據本發明技術的實施例的操作存儲器裝置的方法的流程圖。

具體實施方式

在下面的描述中，討論了許多具體細節以提供對本發明技術的實施例的透徹和使能描述。然而，相關領域的技術人員將認識到，可以在沒有所述具體細節中的一或多個具體細節的情況下實踐本公開。在其它實例中，未示出或未詳細描述通常與存儲器裝置相關聯的眾所周知的結構或操作，以避免模糊本發明技術的其它方面。例如，以下未詳細討論存儲器裝置和/或存儲器系統的對于本領域的技術人員而言眾所周知的若干功能組件(例如，如多路復用器和解碼器等電路組件、如地址寄存器和數據寄存器等數據結構等)。通常，應當理解，除了本文公開的那些具體實施例之外，各種其它裝置、系統和方法也可以處于本發明技術的范圍內。