[發明專利]鋁構件及其制造方法有效
| 申請號： | 201880054956.6 | 申請日： | 2018-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN111051577B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 關雄輔;田口喜弘 | 申請（專利權）人： | 日本輕金屬株式會社 |
| 主分類號： | C25D11/04 | 分類號： | C25D11/04;C22C21/00;C25D11/16;C25D11/18 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 劉多益;張佳鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 構件 及其 制造 方法 | ||
1.一種鋁構件，其包括：
由鋁或鋁合金形成的基材，所述鋁或鋁合金含有0～10質量％的鎂、0.1質量％以下的鐵以及0.1質量％以下的硅，并且其余量為鋁和不可避免的雜質；和
形成于基材的表面上的陽極氧化膜，其中，
所述基材的所述陽極氧化膜側的表面的算術平均高度Sa為0.1～0.5μm，最大高度Sz為0.2～5μm，并且粗糙度輪廓單元的平均寬度Rsm為0.5～10μm，其中，算術平均高度Sa、最大高度Sz和粗糙度輪廓單元的平均寬度Rsm是在去除了陽極氧化膜的情況下測定的。
2.根據權利要求1所述的鋁構件，其中，
從所述陽極氧化膜側測定的所述鋁構件的L*a*b*色彩體系中的L*值為85～100，a*值為-1～+1，并且b*值為-1.5～+1.5。
3.根據權利要求2所述的鋁構件，其中，
所述陽極氧化膜的表面的算術平均高度Sa為0～0.45μm，并且所述L*值為85.5～100。
4.權利要求1～3中任一項所述的鋁構件的制造方法，所述方法包括：
使平均粒徑為2～20μm的顆粒撞擊所述基材的表面，
使用酸性溶液和堿性溶液中的至少一種對撞擊了所述顆粒的基材進行蝕刻，
通過對所述基材的經過蝕刻的表面進行陽極氧化處理而形成所述陽極氧化膜，以及
通過噴砂拋光和磨輪拋光中的至少一種對所述陽極氧化膜的表面進行拋光。
5.權利要求1～3中任一項所述的鋁構件的制造方法，所述方法包括：
使平均粒徑為2～20μm的顆粒撞擊所述基材的表面，
使用酸性溶液和堿性溶液中的至少一種對撞擊了所述顆粒的基材進行蝕刻，
通過使用選自硫酸、磷酸和草酸中的至少一種水溶液對所述基材的經過蝕刻的表面進行陽極氧化處理而形成所述陽極氧化膜。
6.權利要求1～3中任一項所述的鋁構件的制造方法，所述方法包括：
使平均粒徑為2～20μm的顆粒撞擊所述基材的表面；
使用酸性溶液和堿性溶液中的至少一種對撞擊了所述顆粒的基材進行蝕刻；以及
通過對所述基材的經過蝕刻的表面進行陽極氧化處理而形成所述陽極氧化膜。
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