[發(fā)明專利]一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880054925.0
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN111066086B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·V·特蘭;A·李;T·烏;S·洪;F·周;X·劉;N·多
• 申請（專利權(quán)）人: 硅存儲(chǔ)技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G11C13/02
• 分類號: G11C13/02;G11C5/02;G11C5/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

被組織成行和列的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元陣列，其中每個(gè)單元包括頂部電極、底部電極以及所述頂部電極與所述底部電極之間的交換層；

多個(gè)位線，每個(gè)位線耦合到一列RRAM單元；

多個(gè)字線，每個(gè)字線耦合到一行RRAM單元；和

多個(gè)源線，每個(gè)源線耦合到RRAM單元的兩個(gè)相鄰行；

其中每個(gè)RRAM單元能夠通過向相關(guān)聯(lián)的位線、字線和源線施加電壓或電流的不同組合以改變所述RRAM單元的所述交換層來形成、設(shè)定和重置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述陣列中的多列RRAM單元用作接地源并且不用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中RRAM單元的每對相鄰行通過晶體管的隔離行來與RRAM單元的至少一個(gè)相鄰對的相鄰行分開。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)位線中的每一個(gè)耦合到附加位線以形成位線對。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述陣列中的多列RRAM單元用作接地源并且不用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)RRAM單元耦合到一個(gè)選擇器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)RRAM單元耦合到兩個(gè)選擇器。

8.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

被組織成行和列的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元陣列，其中每個(gè)單元包括頂部電極、底部電極以及所述頂部電極與所述底部電極之間的交換層；

多個(gè)位線，每個(gè)位線耦合到一列RRAM單元；

多個(gè)字線，每個(gè)字線耦合到一行RRAM單元；和

多個(gè)源線，每個(gè)源線耦合到RRAM單元的兩對相鄰行的一部分；

其中每個(gè)RRAM單元能夠通過向相關(guān)聯(lián)的位線、字線和源線施加電壓或電流的不同組合以改變所述RRAM單元的所述交換層來形成、設(shè)定和重置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)源線中的每一個(gè)與所述多個(gè)字線中的至少一個(gè)正交。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中RRAM單元的相鄰行中共享字線的各對單元用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)的一位。

11.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

被組織成行和列的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元陣列，其中每個(gè)單元包括頂部電極、底部電極以及所述頂部電極與所述底部電極之間的交換層；

多個(gè)位線，每個(gè)位線耦合到一列RRAM單元；

多個(gè)字線，每個(gè)字線耦合到一行RRAM單元；和

多個(gè)源線，每個(gè)源線耦合到一列RRAM單元；

其中每個(gè)RRAM單元能夠通過向相關(guān)聯(lián)的位線、字線和源線施加電壓或電流的不同組合以改變所述RRAM單元的所述交換層來形成、設(shè)定和重置。

12.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

被組織成行和列的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元陣列，其中每個(gè)單元包括頂部電極、底部電極以及所述頂部電極與所述底部電極之間的交換層；

多個(gè)位線，每個(gè)位線耦合到一列RRAM單元；

多個(gè)字線，每個(gè)字線耦合到一行RRAM單元；和

多個(gè)局部源線，每個(gè)局部源線耦合到RRAM單元的兩對相鄰行的一部分；

其中每個(gè)RRAM單元能夠通過向相關(guān)聯(lián)的位線、字線和源線施加電壓或電流的不同組合以改變所述RRAM單元的所述交換層來形成、設(shè)定和重置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述陣列進(jìn)一步被組織成由四個(gè)RRAM單元構(gòu)成的組，其中由四個(gè)RRAM單元構(gòu)成的每一組連接到一個(gè)選擇晶體管。