[發(fā)明專利]嵌入式管芯封裝多芯片模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880054811.6 | 申請日: | 2018-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN111052365A | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | W·金;M·松浦;M·松本;K·奧亞;H·T·阮;V·K·阿羅拉;A·波達爾 | 申請(專利權)人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/528 | 分類號: | H01L23/528;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐東升 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 嵌入式 管芯 封裝 芯片 模塊 | ||
1.一種嵌入式管芯封裝件,其包括:
第一管芯,其具有在第一電壓電勢和小于所述第一電壓電勢的第二電壓電勢之間的工作電壓;
包含導電材料的通孔,其電連接到所述第一管芯的表面上的鍵合焊盤,所述通孔包含垂直于沿著所述通孔的長度的平面的至少一個延伸部;
電連接到所述通孔的再分配層RDL,所述RDL相對于所述通孔成一定角度以在所述表面與所述RDL的表面之間限定空間;以及
在所述空間中的堆積材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述RDL的端部與所述至少一個延伸部的端部對準。
3.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中在所述空間中的所述堆積材料減輕所述第一管芯與所述RDL之間的電弧。
4.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其進一步包括第二管芯,所述第二管芯具有處于小于所述第二電壓電勢的第三電壓電勢的工作電壓,其中所述第一電壓電勢為大約600伏,并且所述第二電壓電勢為大約50伏,并且所述第三電壓電勢為大約5伏。
5.根據(jù)權利要求4所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述堆積材料覆蓋所述第一管芯、所述第二管芯、所述通孔和所述RDL的一些部分。
6.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述通孔的所述長度在大約20微米至100微米之間。
7.根據(jù)權利要求6所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述空間大約是所述通孔的所述長度。
8.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述導電材料是銅或金。
9.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述堆積材料選自由環(huán)氧樹脂、二氧化硅堆積物和硬化劑構成的群組。
10.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述嵌入式管芯封裝件是電源開關器件。
11.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其中所述通孔包括垂直于沿著所述通孔的所述長度的所述平面的至少四個延伸部。
12.根據(jù)權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件,其進一步包括通過所述嵌入式管芯封裝件的開口插入的柱,所述柱被用于在耦合到所述第一管芯的一側的第一RDL和耦合到所述第一管芯的另一側的第二RDL之間提供連接。
13.一種方法,其包括:
將第一管芯插入嵌入式管芯封裝件中,所述第一管芯具有在第一電壓電勢和小于所述第一電壓電勢的第二電壓電勢之間的工作電壓;
在所述第一管芯的表面上的鍵合焊盤上制造包含導電材料的通孔,所述通孔包含垂直于沿著所述通孔的長度的平面的至少一個延伸部;
制造電連接到所述通孔的再分配層RDL,所述RDL相對于所述通孔成一定角度以在所述表面與所述RDL的表面之間限定空間;以及
用堆積材料填充所述空間。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法,其進一步包括使所述RDL的端部與所述至少一個延伸部的端部對準。
15.根據(jù)權利要求13所述的方法,其進一步包括將第二管芯插入所述嵌入式管芯封裝件中,所述第二管芯具有小于所述第二電壓電勢的工作電壓。
16.根據(jù)權利要求13所述的方法,其進一步包括制造所述通孔的所述長度在大約20微米至100微米之間。
17.根據(jù)權利要求13所述的方法,其進一步包括制造選自由環(huán)氧樹脂、二氧化硅堆積物和硬化劑構成的群組的所述堆積材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德克薩斯儀器股份有限公司,未經德克薩斯儀器股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880054811.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有高導電電纜連接裝置的可再充電跳躍啟動裝置
- 下一篇:光調制器





