[發明專利]運算放大器

有效

• 申請號: 201880054723.6
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN111034033B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 槙本浩之;吉井佑介;井上勇氣
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H01L21/822;H01L27/04;H03F3/45
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;許靜

1.一種半導體裝置，其包括：

運算放大器；

參考電流設置單元，其用于設置所述運算放大器的參考電流；

電源線，其布置在電源端子與所述運算放大器和所述參考電流設置單元中的每一個之間；

接地線，其布置在接地端子與所述運算放大器和所述參考電流設置單元中的每一個之間；以及

參考電流設置線，其布置在所述運算放大器與所述參考電流設置單元之間，

所述運算放大器包括：

晶體管，其形成輸入級；以及

輸入電阻器，其與所述晶體管的寄生電容器一起形成濾波器，

所述半導體裝置還包括電容器，該電容器連接在所述電源線和所述參考電流設置線之間，

所述電容器是所述電源線和所述參考電流設置線之間的寄生電容器，

在所述半導體裝置的平面圖中，所述電源線和所述參考電流設置線層疊布置從而彼此部分重疊，

在所述半導體裝置的平面圖中，所述參考電流設置線的與所述電源線重疊的一部分以網格圖案布置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，基于所述晶體管的寄生電容器的電容值C和所述濾波器的目標截止頻率fc來設置所述輸入電阻器的電阻值R，使得R＝1/(2π·fc·C)。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，所述運算放大器還包括與電源線的寄生電容器一起形成濾波器的電源電阻器。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，在所述半導體裝置的平面圖中，在由以所述網格圖案布置的所述參考電流設置線包圍的區域中，形成作為所述運算放大器的參考電流源發揮作用的晶體管。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，

其中，

所述晶體管由多個單位晶體管構成，并且

在所述半導體裝置的平面圖中，所述多個單位晶體管分別形成在由以所述網格圖案布置的所述參考電流設置線包圍的多個區域中。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，

其中，在所述半導體裝置的平面圖中，在由以所述網格圖案布置的所述參考電流設置線包圍的區域中由所述電源線占據的面積的比例等于或大于1/2。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，

其中，

使用第一布線層布置所述參考電流設置線，

使用第二布線層布置所述電源線，

所述電容器形成在所述電源線和所述參考電流設置線彼此重疊的區域中，所述第一布線層和所述第二布線層作為電極，并且在所述電極之間布置絕緣層作為介電體。

8.一種半導體裝置，其包括：

運算放大器；

參考電流設置單元，其用于設置所述運算放大器的參考電流；

電源線，其布置在電源端子與所述運算放大器和所述參考電流設置單元中的每一個之間；

接地線，其布置在接地端子與所述運算放大器和所述參考電流設置單元中的每一個之間；以及

參考電流設置線，其布置在所述運算放大器與所述參考電流設置單元之間，

所述運算放大器包括：

晶體管，其形成輸入級；以及

輸入電阻器，其與所述晶體管的寄生電容器一起形成濾波器，

所述半導體裝置還包括插入在所述電源線與另一布線和另一元件中的每一個之間的屏蔽構件。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，

其中，所述屏蔽構件是接地線。

10.根據權利要求1至5、權利要求8以及權利要求9中任一項所述的半導體裝置，

其中，所述接地線的寬度和所述參考電流設置線的寬度均比所述電源線的寬度窄。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，

其中，所述接地線的所述寬度和所述參考電流設置線的所述寬度均等于或小于所述電源線的所述寬度的一半。