[發明專利]具有電介質阻擋層的自選存儲器單元

在審

• 申請號: 201880054640.7
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN111095555A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: L·弗拉汀;F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/00;H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器裝置，其包括：

平面堆疊，其包括第一平面集合和第二平面集合；

導電柱，其穿過所述平面堆疊安置；

硫屬化物合金材料，其至少部分地包圍所述導電柱；和

電介質材料，其至少部分地包圍所述硫屬化物合金材料。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

電極材料，其至少部分地包圍所述導電柱。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，且其進一步包括：

第二電介質材料，其安置于所述電極材料與所述硫屬化物合金材料之間，其中所述第二電介質材料至少部分地包圍所述電極材料且所述硫屬化物合金材料至少部分地包圍所述第二電介質材料。

4.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述硫屬化物合金材料與所述電極材料接觸。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第二電介質材料，其安置于所述導電柱與所述硫屬化物合金材料之間，其中所述第二電介質材料至少部分地包圍所述導電柱。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一平面集合包括第一材料，且所述第二平面集合包括不同于所述第一材料的第二材料。

7.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述第一材料包括導電材料且所述第二材料包括電介質材料。

8.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述第一平面集合與所述第二平面集合交錯。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述電介質材料與所述第一平面集合和所述第二平面集合接觸。

10.一種形成存儲器裝置的方法，其包括：

形成穿過平面堆疊的開口，所述平面堆疊包括與第二材料的第二平面集合交錯的第一材料的第一平面集合，所述第二材料不同于所述第一材料；

在所述開口內形成電介質材料，所述電介質材料與由所述開口暴露的所述第一平面集合和所述第二平面集合的部分接觸；以及

形成與所述電介質材料接觸的硫屬化物合金材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

通過形成所述第一平面集合中的一個與所述第二平面集合中的一個的交替平面來形成所述平面堆疊，其中所述第一材料包括導電材料且所述第二材料包括絕緣材料。

12.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

利用比所述第一材料更加導電的導電材料替換所述第一平面集合中的所述第一材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中替換所述第一材料包括：

移除所述第一平面集合；以及

在由所述移除的第一平面集合留下的空隙中形成包括所述導電材料的第三平面集合。

14.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

穿過所述平面堆疊形成溝槽；

利用第三材料替換所述第一平面集合中的所述第一材料，其中所述替換利用所述第三材料填充所述溝槽。

15.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括：

利用電介質材料替換所述溝槽中的所述第三材料的至少一部分。

16.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

形成與所述硫屬化物合金材料接觸的第二電介質材料，其中所述第二電介質材料與所述硫屬化物合金材料至少部分地交疊。