[發(fā)明專利]支承玻璃基板和使用其的層疊基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880054592.1 | 申請日: | 2018-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111033687B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鈴木良太 | 申請(專利權(quán))人: | 日本電氣硝子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C03C23/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 吳磊 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支承 玻璃 使用 層疊 | ||
1.一種支承玻璃基板,其是用于支承加工基板的支承玻璃基板,其特征在于,在支承玻璃基板的表面具備以點(diǎn)作為結(jié)構(gòu)單元的信息識別部,并且從點(diǎn)擴(kuò)展的裂紋在表面方向的最大長度為350μm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支承玻璃基板,其特征在于,從點(diǎn)擴(kuò)展的裂紋在表面方向的最大長度為0.1μm以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的支承玻璃基板,其特征在于,點(diǎn)由環(huán)狀的溝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的支承玻璃基板,其特征在于,在30℃~380℃的溫度范圍內(nèi)的平均線熱膨脹系數(shù)為30×10-7/℃以上且165×10-7/℃以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的支承玻璃基板,其特征在于,其具有直徑100mm~500mm的晶片形狀或大致圓板形狀,板厚不足2.0mm,整體板厚偏差為5μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的支承玻璃基板,其特征在于,其具有各邊為300mm以上的四邊形的形狀,板厚不足2.0mm,整體板厚偏差為10μm以下。
7.一種層疊基板,其至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板,其特征在于,支承玻璃基板為權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的支承玻璃基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊基板,其特征在于,加工基板至少具備用密封材料模制的半導(dǎo)體芯片。
9.一種半導(dǎo)體封裝體的制造方法,其特征在于,具有以下工序:
準(zhǔn)備至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊基板的工序;和
對加工基板進(jìn)行加工處理的工序,
并且,支承玻璃基板為權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的支承玻璃基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝體的制造方法,其特征在于,加工處理包括對加工基板的一個表面進(jìn)行布線的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝體的制造方法,其特征在于,加工處理包括在加工基板的一個表面形成焊料凸塊的工序。
12.一種玻璃基板,其特征在于,在表面具備以點(diǎn)作為結(jié)構(gòu)單元的信息識別部,并且從點(diǎn)擴(kuò)展的裂紋在表面方向的最大長度為350μm以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





