[發(fā)明專利]具有共同的晶片級集成光學(xué)裝置的VCSEL陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880054540.4 | 申請日: | 2018-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN111095696B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·格羅嫩博恩;P·J·H·布洛曼 | 申請(專利權(quán))人: | 通快光電器件有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/02253 | 分類號: | H01S5/02253;H01S5/42;H01S5/026;G02B27/09;H01S5/183;H01S5/00;H01S5/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 共同 晶片 集成 光學(xué) 裝置 vcsel 陣列 | ||
1.一種VCSEL陣列(100),所述VCSEL陣列(100)包括布置在共同的半導(dǎo)體基體(101)上的兩個、三個、四個或更多個VCSEL(130),其中,VCSEL陣列(100)還包括在晶片級集成的一個共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140),其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)被布置為能夠?qū)⒓す?10)轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)換后的激光(150),使得能夠在參考平面中提供連續(xù)的照明圖案(20),其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)被布置為與能夠在沒有共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的情況下提供的未轉(zhuǎn)換的照明圖案相比,能夠增大在參考平面中的照明圖案(20)的尺寸,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)還被布置為使得每個VCSEL(130)被布置為能夠?qū)φ彰鲌D案(20)的區(qū)域(21)進(jìn)行照明,其中,每個區(qū)域(21)小于照明圖案(20),其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)包括臺階,使得共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的具有高于半導(dǎo)體基體(101)不同高度的子表面彼此相鄰布置,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)是棱鏡結(jié)構(gòu)或菲涅耳結(jié)構(gòu),其中,每個VCSEL(130)與共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的子表面相關(guān)聯(lián),其中,每個VCSEL(130)間的距離與共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的相應(yīng)子表面的尺寸被布置為使得每個VCSEL(130)僅對共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的相應(yīng)子表面的部分進(jìn)行照明而不對臺階之一進(jìn)行照明,其中,VCSEL陣列(100)包括微透鏡陣列(143),其中,每個VCSEL(130)與一個微透鏡相關(guān)聯(lián),其中,微透鏡被布置為能夠使激光(10)在穿過共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)之后平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列(100),其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)是布置在VCSEL(130)的發(fā)光表面之上的連續(xù)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項所述的VCSEL陣列(100),其中,每個VCSEL(130)是被布置為能夠發(fā)射激光(10)穿過半導(dǎo)體基體(101)的底部發(fā)射器,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)置在半導(dǎo)體基體(101)的與VCSEL(130)相反布置的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VCSEL陣列(100),其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)集成在VCSEL陣列(100)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任意一項所述的VCSEL陣列(100),其中,每個VCSEL(130)是被布置為沿遠(yuǎn)離半導(dǎo)體基體(101)的方向發(fā)射激光(10)的頂部發(fā)射器,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)包括設(shè)置在VCSEL陣列的半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)的頂部的材料,其中,所述材料在激光(10)的波長范圍內(nèi)是透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VCSEL陣列(100),其中,每個VCSEL(130)是底部發(fā)射器,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)蝕刻在半導(dǎo)體基體(101)中,其中,共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)包括臺階,使得共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的具有高于半導(dǎo)體基體(101)不同高度的子表面彼此相鄰布置,其中,每個VCSEL(130)與共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的子表面相關(guān)聯(lián),其中,每個VCSEL(130)間的距離與共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的相應(yīng)子表面的尺寸被布置為使得每個VCSEL(130)僅對共同的光學(xué)結(jié)構(gòu)(140)的相應(yīng)子表面的部分進(jìn)行照明而不對臺階之一進(jìn)行照明,其中,微透鏡陣列(143)集成在透明載體中,其中,所述透明載體機械地耦接到半導(dǎo)體基體(101)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項所述的VCSEL陣列(100),其中,VCSEL(130)中的至少一部分VCSEL(130)被布置為能夠被單獨控制以發(fā)射激光(10)。
8.一種發(fā)光裝置,所述發(fā)光裝置包括根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項的至少一個VCSEL(100)陣列和用于向VCSEL(130)提供電驅(qū)動電流的電驅(qū)動器(230)。
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