[發明專利]雜富勒烯以及使用了其的n型半導體膜和電子設備有效
| 申請號： | 201880054420.4 | 申請日： | 2018-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN111032567B | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 松澤伸行;笹子勝;中順一 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | C01B32/156 | 分類號： | C01B32/156;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L29/786;H10K50/805;H10K10/46;H10K85/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雜富勒烯 以及 使用 半導體 電子設備 | ||
1.一種雜富勒烯，其是將構成富勒烯C60的n個碳原子用n個硼原子取代而得的雜富勒烯，所述n為6、8、10、12之中的任意者，
n為6時，該6個硼原子的取代位置為1，3，7，13，50，60位、1，7，41，50，57，60位、1，7，28，31，50，60位和1，7，21，38，50，60位之中的任意者，
n為8時，該8個硼原子的取代位置為1，3，7，13，41，50，57，60位和1，7，21，28，31，38，50，60位之中的任意者，
n為10時，該10個硼原子的取代位置為1，3，7，13，21，38，41，50，57，60位、1，3，7，13，28，31，41，50，57，60位、1，3，7，13，21，28，31，38，50，60位和1，7，21，28，31，38，41，50，57，60位之中的任意者，
n為12時，該12個硼原子的取代位置為1，3，7，13，21，28，31，38，41，50，57，60位。
2.一種雜富勒烯，其是將構成富勒烯C70的n個碳原子用n個硼原子取代而成的雜富勒烯，所述n為2、4之中的任意者，
n為2時，該2個硼原子的取代位置為1，70位，
n為4時，該4個硼原子的取代位置為1，4，60，70位。
3.一種n型半導體膜，其包含權利要求1或2所述的雜富勒烯。
4.一種電子設備，其使用權利要求1或2所述的雜富勒烯作為n型半導體。
5.一種電子設備，其具備源電極、漏電極、柵電極和n型半導體膜，
所述n型半導體膜包含權利要求1或2所述的雜富勒烯。
6.一種n型半導體膜，其為包含雜富勒烯的n型半導體膜，
對于所述雜富勒烯而言，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，
將構成富勒烯C60的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。
7.一種電子設備，其為使用雜富勒烯作為n型半導體的電子設備，
對于所述雜富勒烯而言，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，
將構成富勒烯C60的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。
8.一種電子設備，其為具備源電極、漏電極、柵電極和n型半導體膜的電子設備，
所述n型半導體膜包含雜富勒烯，
對于所述雜富勒烯而言，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，
將構成富勒烯C60的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，
將構成富勒烯C60的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。
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