[發(fā)明專利]雜富勒烯以及使用了其的n型半導(dǎo)體膜和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880054420.4
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN111032567B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松澤伸行;笹子勝;中順一
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
• 主分類號: C01B32/156
• 分類號: C01B32/156;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L29/786;H10K50/805;H10K10/46;H10K85/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種雜富勒烯，其是將構(gòu)成富勒烯C₆₀的n個碳原子用n個硼原子取代而得的雜富勒烯，所述n為6、8、10、12之中的任意者，

n為6時，該6個硼原子的取代位置為1，3，7，13，50，60位、1，7，41，50，57，60位、1，7，28，31，50，60位和1，7，21，38，50，60位之中的任意者，

n為8時，該8個硼原子的取代位置為1，3，7，13，41，50，57，60位和1，7，21，28，31，38，50，60位之中的任意者，

n為10時，該10個硼原子的取代位置為1，3，7，13，21，38，41，50，57，60位、1，3，7，13，28，31，41，50，57，60位、1，3，7，13，21，28，31，38，50，60位和1，7，21，28，31，38，41，50，57，60位之中的任意者，

n為12時，該12個硼原子的取代位置為1，3，7，13，21，28，31，38，41，50，57，60位。

2.一種雜富勒烯，其是將構(gòu)成富勒烯C₇₀的n個碳原子用n個硼原子取代而成的雜富勒烯，所述n為2、4之中的任意者，

n為2時，該2個硼原子的取代位置為1，70位，

n為4時，該4個硼原子的取代位置為1，4，60，70位。

3.一種n型半導(dǎo)體膜，其包含權(quán)利要求1或2所述的雜富勒烯。

4.一種電子設(shè)備，其使用權(quán)利要求1或2所述的雜富勒烯作為n型半導(dǎo)體。

5.一種電子設(shè)備，其具備源電極、漏電極、柵電極和n型半導(dǎo)體膜，

所述n型半導(dǎo)體膜包含權(quán)利要求1或2所述的雜富勒烯。

6.一種n型半導(dǎo)體膜，其為包含雜富勒烯的n型半導(dǎo)體膜，

對于所述雜富勒烯而言，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。

7.一種電子設(shè)備，其為使用雜富勒烯作為n型半導(dǎo)體的電子設(shè)備，

對于所述雜富勒烯而言，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。

8.一種電子設(shè)備，其為具備源電極、漏電極、柵電極和n型半導(dǎo)體膜的電子設(shè)備，

所述n型半導(dǎo)體膜包含雜富勒烯，

對于所述雜富勒烯而言，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該2個硼原子的取代位置為1，16位、1，50位、1，60位、1，57位和1，31位之中的任意者，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的4個碳原子用4個硼原子取代而成的雜富勒烯時，該4個硼原子的取代位置為1，7，50，60位，

將構(gòu)成富勒烯C₆₀的2個碳原子用2個氮原子取代而成的雜富勒烯時，所述2個氮原子的取代位置為1，60位或1，7位。