[發(fā)明專利]在透明或半透明晶片上的缺陷檢測(cè)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880054386.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111033710B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜旭光;永·張;丁翊武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 劉麗楠 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 半透明 晶片 缺陷 檢測(cè) | ||
1.一種檢測(cè)系統(tǒng),其包括:
控制器,其包含處理器及與所述處理器電子通信的電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,其中所述處理器經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個(gè)軟件模塊,且其中所述一或多個(gè)軟件模塊經(jīng)配置以:
接收三個(gè)裸片的明場(chǎng)圖像,其中所述三個(gè)裸片位于透明或半透明晶片上,且其中所述明場(chǎng)圖像中的每一者包含多個(gè)圖像行及多個(gè)圖像列;
接收所述三個(gè)裸片的暗場(chǎng)圖像,其中所述暗場(chǎng)圖像中的每一者包含多個(gè)所述圖像行及多個(gè)所述圖像列;
針對(duì)所述明場(chǎng)圖像及所述暗場(chǎng)圖像的所述圖像列中的每一者確定第一計(jì)算值,其中所述第一計(jì)算值是基于沿所述圖像列中的至少一者所應(yīng)用的核心大小;
通過從所述圖像列的每一像素的像素強(qiáng)度減去所述第一計(jì)算值來確定第一差值;
將候選像素分類,其中所述候選像素的所述第一差值高于閾值;
確定第二計(jì)算值,其中所述第二計(jì)算值是基于所述核心大小;
通過從所述像素強(qiáng)度減去所述第二計(jì)算值來確定第二差值;及
將包含缺陷的像素分類,其中包含缺陷的所述像素的所述第二差值高于所述閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括與所述控制器電子通信的明場(chǎng)成像系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括與所述控制器電子通信的暗場(chǎng)成像系統(tǒng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第一計(jì)算值是移動(dòng)平均數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第二計(jì)算值是局部中位數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第二計(jì)算值屬于所述候選像素中的每一者,且其中所述第二差值來自所述候選像素中的每一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述三個(gè)裸片是相鄰裸片。
8.一種檢測(cè)方法,其包括:
在控制器處接收三個(gè)裸片的明場(chǎng)圖像,其中所述三個(gè)裸片位于透明或半透明晶片上,且其中所述明場(chǎng)圖像中的每一者包含多個(gè)圖像行及多個(gè)圖像列;
在所述控制器處接收所述三個(gè)裸片的暗場(chǎng)圖像,其中所述暗場(chǎng)圖像中的每一者包含多個(gè)所述圖像行及多個(gè)所述圖像列;
使用所述控制器來針對(duì)所述明場(chǎng)圖像及所述暗場(chǎng)圖像的所述圖像列中的每一者確定第一計(jì)算值,其中所述第一計(jì)算值是基于沿所述圖像列中的至少一者所應(yīng)用的核心大小;
使用所述控制器通過從所述圖像列的每一像素的像素強(qiáng)度減去所述第一計(jì)算值來確定第一差值;
使用所述控制器來將候選像素分類,其中所述候選像素的所述第一差值高于閾值;
使用所述控制器來確定第二計(jì)算值,其中所述第二計(jì)算值是基于所述核心大小;
使用所述控制器通過從所述像素強(qiáng)度減去所述第二計(jì)算值來確定第二差值;及
使用所述控制器來將包含缺陷的像素分類,其中包含缺陷的所述像素的所述第二差值高于所述閾值。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第一計(jì)算值是移動(dòng)平均數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第二計(jì)算值是局部中位數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第一計(jì)算值及所述第二計(jì)算值中的一者是使用低通濾波器的快速傅里葉變換。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第一計(jì)算值及所述第二計(jì)算值中的一者是使用高斯核心的卷積。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第二計(jì)算值屬于所述候選像素中的每一者,且其中所述第二差值來自所述候選像素中的每一者。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





