[發明專利]氣體分離方法及氣體分離膜

有效

• 申請號: 201880054160.0
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN111032191B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發明（設計）人: 野口拓也;先崎尊博;緒方壽幸;國武豐喜;藤川茂紀;有吉美帆
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社;株式會社納米膜技術
• 主分類號: B01D53/22
• 分類號: B01D53/22;B01D69/12;B01D71/70
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.氣體分離方法，其為使用氣體分離膜從混合氣體中使特定的氣體(A)選擇性透過的氣體分離方法，

所述氣體分離方法包括將所述混合氣體供給至所述氣體分離膜的一個面的步驟，

所述氣體分離膜是在犧牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、從得到的涂布膜去除溶劑從而在犧牲膜上形成的、并且使犧牲膜溶解于可溶解犧牲膜的液體而得的聚二甲基硅氧烷膜，

所述氣體分離膜的膜厚為200nm以下，

所述混合氣體中的所述氣體(A)的濃度為10000質量ppm以下，

利用所述氣體分離膜的所述氣體(A)的選擇性透過在所述氣體分離膜的兩面處的壓力差為1個大氣壓以下的條件下進行。

2.根據權利要求1所述的氣體分離方法，其中，作為所述氣體分離膜，不包括經氧等離子體處理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

3.根據權利要求1所述的氣體分離方法，其中，所述氣體分離膜與多孔質的支撐膜層疊，并且，具有在與所述支撐膜的接觸面處即便在所述支撐膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的氣體分離方法，其中，所述氣體(A)為二氧化碳。

5.氣體分離膜，其是用于從氣體分離膜中選擇性透過從而使混合氣體中的特定的氣體(A)的濃度降低的氣體分離膜，

所述混合氣體中的所述氣體(A)的濃度為10000質量ppm以下，

利用所述氣體分離膜的所述氣體(A)的選擇性透過在所述氣體分離膜的兩面處的壓力差為1個大氣壓以下的條件下進行，

所述氣體分離膜是在犧牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、從得到的涂布膜去除溶劑從而在犧牲膜上形成的、并且使犧牲膜溶解于可溶解犧牲膜的液體而得的膜厚為200nm以下的由聚二甲基硅氧烷形成的膜，

其中，所述氣體分離膜不包括經氧等離子體處理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

6.根據權利要求5所述的氣體分離膜，在與多孔質的支撐膜層疊的情況下，所述氣體分離膜具有在與所述支撐膜的接觸面處即便在所述支撐膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

7.根據權利要求5或6所述的氣體分離膜，其顯示出下述特性：隨著使所述混合氣體向所述氣體分離膜的供給量或流量降低，能使被所述氣體分離膜處理后的所述混合氣體中的所述氣體(A)的濃度降低。

8.根據權利要求5～7中任一項所述的氣體分離膜，其中，所述氣體(A)為二氧化碳。

9.氣體分離膜的用途，其包含：

從氣體分離膜中選擇性透過從而使混合氣體中的特定的氣體(A)的10000質量ppm以下的濃度進一步降低，

利用所述氣體分離膜的所述氣體(A)的選擇性透過在所述氣體分離膜的兩面處的壓力差為1個大氣壓以下的條件下進行，

所述氣體分離膜是在犧牲膜的表面涂布包含聚二甲基硅氧烷的溶液之后、從得到的涂布膜去除溶劑從而在犧牲膜上形成的、并且使犧牲膜溶解于可溶解犧牲膜的液體而得的膜厚為200nm以下的由聚二甲基硅氧烷形成的膜。

10.根據權利要求9所述的用途，其中，作為所述氣體分離膜，不包括經氧等離子體處理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)膜。

11.根據權利要求9所述的用途，其中，在將所述氣體分離膜與多孔質的支撐膜層疊的情況下，所述氣體分離膜具有在與所述支撐膜的接觸面處即便在所述支撐膜中的孔部上也能以平坦的膜的形式存在的自立性。

12.根據權利要求9～11中任一項所述的用途，其顯示出下述特性：隨著使所述混合氣體向所述氣體分離膜的供給量或流量降低，能使被所述氣體分離膜處理后的所述混合氣體中的所述氣體(A)的濃度降低。