[發(fā)明專利]基片處理裝置和基片處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880053792.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111066126B | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 飯野正;甲斐義廣;德永容一;緒方信博;東島治郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
實(shí)施方式的基片處理裝置包括處理單元(16)、控制部(18)和測(cè)量部(102)。處理單元包括:能夠保持基片并使其旋轉(zhuǎn)的保持部(31);釋放處理液的噴嘴(41);和對(duì)噴嘴供給處理液的導(dǎo)電性的配管部(44)。控制部對(duì)處理單元執(zhí)行通過從噴嘴對(duì)由保持部保持并旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液來處理基片的液處理。測(cè)量部測(cè)量因處理液在配管部中流動(dòng)而產(chǎn)生的流動(dòng)電流。此外,控制部基于測(cè)量部的測(cè)量結(jié)果來監(jiān)視液處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及基片處理裝置和基片處理方法。
背景技術(shù)
一直以來,已知有對(duì)半導(dǎo)體晶片等基片,從配置于基片的上方的噴嘴釋放處理液來處理基片的基片處理裝置(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-092343號(hào)公報(bào)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
在這種基片處理裝置中,因處理液在導(dǎo)電性的配管部流動(dòng)而產(chǎn)生被稱為“流動(dòng)電流”的微弱的電流,在現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)于測(cè)量上述流動(dòng)電流以在基片處理中有效加以利用沒有任何考慮。
實(shí)施方式的一方式的目的在于,提供能夠測(cè)量流動(dòng)電流并在基片處理中有效加以利用的基片處理裝置和基片處理方法。
用于解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
實(shí)施方式的一方式的基片處理裝置包括處理單元、控制部和測(cè)量部。處理單元包括:保持基片并使其旋轉(zhuǎn)的保持部;釋放處理液的噴嘴;和對(duì)噴嘴供給處理液的導(dǎo)電性的配管部。控制部對(duì)處理單元實(shí)施通過對(duì)由保持部保持并旋轉(zhuǎn)的基片從噴嘴供給處理液以處理基片的液處理。測(cè)量部測(cè)量通過處理液在配管部中流動(dòng)而產(chǎn)生的流動(dòng)電流。此外,控制部基于測(cè)量部的測(cè)量結(jié)果來監(jiān)視液處理。
發(fā)明效果
依照實(shí)施方式的一方式,能夠測(cè)量流動(dòng)電流并在基片處理中有效加以利用。
附圖說明
圖1是表示本實(shí)施方式的基片處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示處理單元的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是表示液處理中的一邊使晶片的轉(zhuǎn)速變化一邊測(cè)量出的流動(dòng)電流的值的結(jié)果的曲線圖。
圖4是表示流動(dòng)電流的導(dǎo)通路徑的結(jié)構(gòu)的圖。
圖5是表示流動(dòng)電流信息的一例的圖。
圖6是表示異常檢測(cè)處理的處理順序的流程圖。
圖7是放電檢測(cè)處理的說明圖。
圖8是處理液的置換完成時(shí)刻的檢測(cè)處理的說明圖。
圖9是帶電量推算處理的說明圖。
圖10是表示第2實(shí)施方式的處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖11是表示離子化裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖12是表示將離子化裝置用于偽分配端口的除電的情況的例的圖。
圖13是表示第4實(shí)施方式的處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14是表示表面電位計(jì)的表面電位的測(cè)量位置的另一例的圖。
圖15是表示表面電位計(jì)的表面電位的測(cè)量位置的另一例的圖。
圖16是基于表面電位計(jì)的測(cè)量結(jié)果的異常檢測(cè)處理的說明圖。
圖17是基于表面電位計(jì)的測(cè)量結(jié)果的異常應(yīng)對(duì)處理的說明圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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