[發明專利]半導體存儲器裝置中的電力供應布線

有效

• 申請號: 201880053452.2
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN111033616B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 西崎護
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體裝置，其包括：

多層級布線結構，其包含第一層級布線層、第二層級布線層和在所述第一層級布線層與所述第二層級布線層之間的絕緣膜；

第一存儲器片塊，其包含多個第一存儲器單元、各自形成為所述第一層級布線層的多個第一電力供應線、各自形成為所述第二層級布線層的多個第二電力供應線以及各自形成為所述第二層級布線層的多個信號線；

第二存儲器片塊，其包含多個第二存儲器單元、各自形成為所述第一層級布線層的多個第三電力供應線以及各自形成為所述第二層級布線層的多個第四電力供應線，其中所述多個信號線不到達所述第二存儲器片塊；

再分布布線層，其在所述多層級布線結構上方；以及

電力供應增強線，其形成為所述再分布布線層，所述電力供應增強線超出所述第一存儲器片塊且到達所述第二存儲器片塊上方以電耦合到所述多個第四電力供應線中的至少一個。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述再分布布線層的電阻率低于所述第一層級布線層和所述第二層級布線層中的每一者。

3.根據權利要求1所述的裝置，其進一步包括在所述第一存儲器片塊與所述第二存儲器片塊之間的感測放大器形成區，所述感測放大器形成區包含多個感測放大器，且其中所述多個信號線中的每一者終止于所述感測放大器形成區上方而以操作方式耦合到所述多個感測放大器中的選定者。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述多層級布線結構進一步包含下部層級布線層和在所述下部層級布線層與所述第一層級布線層之間的額外絕緣膜。

5.一種半導體裝置，其包括：

第一和第二存儲器片塊，所述第一和第二存儲器片塊中的每一者包含多個存儲器單元；

多個第一電力布線，其在所述第一存儲器片塊上方；

多個第二電力布線，其在所述第二存儲器片塊上方；

感測放大器，其在所述第一與第二存儲器片塊之間；

數據放大器，其經布置以使得所述第二存儲器片塊包夾在所述數據放大器與所述感測放大器之間；

主輸入/輸出線，其以與所述數據放大器的電連接從所述數據放大器延伸，經過所述第二存儲器片塊上方且以與所述感測放大器的電連接終止于所述感測放大器上方；

絕緣層，其覆蓋所述多個第一電力布線、所述多個第二電力布線和所述主輸入/輸出線；

電力供應增強布線，其在所述絕緣層上方；以及

接觸插塞，其在所述絕緣層中，用以將所述電力供應增強布線電連接到所述第一存儲器片塊上方的所述多個第一電力供應布線中的至少一個。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述接觸插塞是第一接觸插塞，所述半導體裝置進一步包括：

列解碼器，其鄰近于所述第一存儲器片塊；

多個第三電力布線，其在所述列解碼器上方；以及

第二接觸插塞，其在所述絕緣層中，用以將所述電力供應增強布線電連接到所述列解碼器上方的所述多個第三電力供應布線中的至少一個。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述接觸插塞是第一接觸插塞，所述感測放大器是第一感測放大器，所述數據放大器是第一數據放大器，且所述主輸入/輸出線是第一主輸入/輸出線，所述半導體裝置進一步包括：

第三和第四存儲器片塊，所述第三和第四存儲器片塊中的每一者包含多個存儲器單元；

多個第三電力布線，其在所述第三存儲器片塊上方；

多個第四電力布線，其在所述第四存儲器片塊上方；

第二感測放大器，其在所述第三與第四存儲器片塊之間；

第二數據放大器，其鄰近于所述第一存儲器片塊且經布置以使得所述第三存儲器片塊包夾在所述第二數據放大器與所述第四感測放大器之間；

第二主輸入/輸出線，其以與所述第二數據放大器的電連接從所述第二數據放大器延伸，經過所述第四存儲器片塊上方且以與所述第二感測放大器的電連接終止于所述第二感測放大器上方；以及

第二接觸插塞，其在所述絕緣層中，用以將所述電力供應增強布線電連接到所述第三存儲器片塊上方的所述多個第三電力供應布線中的至少一個。