[發明專利]具有多個嵌入式電極的基板支撐件有效
| 申請號: | 201880053380.1 | 申請日: | 2018-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN110998782B | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | P·A·克勞斯;T·C·楚;趙在龍 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;張鑫 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 嵌入式 電極 支撐 | ||
1.一種基板支撐組件,包括:
多個第一電極,所述多個第一電極在基板支撐件內,所述多個第一電極中的每個電極與所述多個第一電極中的每個其他電極電隔離且共面,其中所述多個第一電極中的每個電極被配置為通過與基板的區域的電容耦合來向所述基板的所述區域提供脈沖DC功率;
第二電極,所述第二電極設置在所述基板支撐件內,并且與所述多個第一電極電隔離,用于將所述基板電夾持到所述基板支撐件;以及
開關系統,所述開關系統包括:
多個第一開關,所述多個第一開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極;以及
多個第二開關,所述多個第二開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極。
2.如權利要求1所述的基板支撐組件,其中所述多個第一電極中的每個電極的至少一部分與所述第二電極共面。
3.如權利要求1所述的基板支撐組件,其中所述多個第一電極中的一個或多個電極的至少一部分比所述第二電極更靠近所述基板支撐件的基板支撐表面。
4.如權利要求1所述的基板支撐組件,其中所述第二電極包括單一導體。
5.如權利要求1所述的基板支撐組件,其中所述多個第一開關中的每個開關是固態開關,所述固態開關被配置為以高達100kHz的頻率切換。
6.一種處理腔室,包括:
一個或多個側壁和底部,所述一個或多個側壁和所述底部界定處理容積;
基板支撐件,所述基板支撐件包括:
多個第一電極,所述多個第一電極在所述基板支撐件內,所述多個第一電極中的每個電極與所述多個第一電極中的每個其他電極電隔離且共面,其中所述多個第一電極中的每個電極被配置為通過與基板的區域的電容耦合而向所述基板的所述區域提供脈沖DC偏壓;以及
第二電極,所述第二電極設置在所述基板支撐件內,并與所述多個第一電極電隔離,用于將所述基板電夾持到所述基板支撐件;以及
開關系統,所述開關系統包括:
多個第一開關,所述多個第一開關中的每個開關被配置為提供第一循環DC電壓,其中所述多個第一開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極;以及
多個第二開關,所述多個第二開關中的每個開關被配置為提供第二循環DC電壓,其中所述多個第二開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極。
7.如權利要求6所述的處理腔室,其中所述多個第一電極中的每個電極的至少一部分與所述第二電極共面。
8.如權利要求6所述的處理腔室,其中所述多個第一電極中的一個或多個電極的至少一部分比所述第二電極更靠近所述基板支撐件的基板支撐表面。
9.如權利要求6所述的處理腔室,其中所述第二電極包括單一導電材料部分。
10.一種處理基板的方法,包括:
使處理氣體流到處理腔室中;
從所述處理氣體形成等離子體;
使用設置在基板支撐件中的夾持電極而將基板電夾持到設置在所述處理腔室的所述基板支撐件,所述基板支撐件包括第一介電層和第二介電層;以及
通過開關系統向設置在所述基板支撐件中的多個偏壓電極提供多個循環DC電壓,其中每個相應的循環DC電壓通過與所述基板的區域的電容耦合而向所述基板的所述區域提供單獨的脈沖DC偏壓,且其中所述開關系統包括:多個第一開關,所述多個第一開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極;以及多個第二開關,所述多個第二開關中的每個開關電耦合到所述多個第一電極中的一個電極。
11.如權利要求10所述的方法,其中所述多個循環DC電壓包括多于一個極性。
12.如權利要求10所述的方法,其中所述多個循環DC電壓包括在10Hz與100kHz之間的多于一個頻率。
13.如權利要求10所述的方法,其中所述夾持電極包括單一導電材料部分。
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