[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置及制造發(fā)光二極管裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880053327.1 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN111052409B | 公開（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金載石;姜鎮(zhèn)熙;姜智薰 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/10;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 裝置 制造 方法 | ||
1.一種制造發(fā)光二極管的方法，所述方法包括：
在襯底上形成半導(dǎo)體層；
在所述半導(dǎo)體層上形成包括多個凹槽的掩膜層；
分別在所述多個凹槽中形成多個納米結(jié)構(gòu)；
通過刻蝕所述半導(dǎo)體層的外側(cè)區(qū)域和所述半導(dǎo)體層的與所述外側(cè)區(qū)域不同的內(nèi)側(cè)區(qū)域，形成已刻蝕的區(qū)域；
在所述半導(dǎo)體層的所述已刻蝕的區(qū)域上形成第一電極；
在所述第一電極上形成絕緣層；以及
在所述絕緣層和所述多個納米結(jié)構(gòu)上形成第二電極，
其中，所述內(nèi)側(cè)區(qū)域包括橫向區(qū)域和縱向區(qū)域中的至少一個，所述橫向區(qū)域和所述縱向區(qū)域中的所述至少一個在穿過與所述外側(cè)區(qū)域不同的區(qū)域的中心部分的同時連接至所述外側(cè)區(qū)域，其中所述內(nèi)側(cè)區(qū)域在由所述外側(cè)區(qū)域形成的邊界內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述內(nèi)側(cè)區(qū)域包括：基于所述中心部分的、具有比所述橫向區(qū)域和所述縱向區(qū)域的寬度長的四個邊的矩形區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個納米結(jié)構(gòu)中的每一個納米結(jié)構(gòu)包括：
納米形狀的n型半導(dǎo)體層；
在所述納米形狀的n型半導(dǎo)體層上形成的有源層；以及
在所述有源層上形成的p型半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述有源層形成為覆蓋所述納米形狀的n型半導(dǎo)體層，并且
其中，所述p型半導(dǎo)體層形成為覆蓋所述有源層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述第二電極上形成反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述襯底上形成第一通孔，以至少與在所述外側(cè)區(qū)域中形成的所述第一電極的一部分連接；
在所述第一通孔中形成第一焊盤；
在所述襯底中形成第二通孔，以至少與所述第二電極的外側(cè)部分連接；以及
在所述第二通孔之中形成第二焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣層的面積大于或等于所述第一電極的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二電極覆蓋所述絕緣層和所述多個納米結(jié)構(gòu)。
9.一種發(fā)光二極管，包括：
襯底；
第一n型半導(dǎo)體層，所述第一n型半導(dǎo)體層形成在所述襯底上；
第一電極，所述第一電極形成在所述第一n型半導(dǎo)體層的外側(cè)區(qū)域中，并且形成在所述第一n型半導(dǎo)體層的與所述外側(cè)區(qū)域不同的內(nèi)側(cè)區(qū)域中；
多個納米形狀的第二n型半導(dǎo)體，所述多個納米形狀的第二n型半導(dǎo)體形成在所述第一n型半導(dǎo)體層的、與在所述第一n型半導(dǎo)體層中形成所述第一電極的區(qū)域不同的至少一部分中；
多個有源層，所述多個有源層形成在所述多個納米形狀的第二n型半導(dǎo)體上；
多個p型半導(dǎo)體，所述多個p型半導(dǎo)體形成在所述多個有源層上；
絕緣層，所述絕緣層形成在所述第一電極上；以及
第二電極，所述第二電極形成在所述絕緣層和所述多個p型半導(dǎo)體上，
其中，所述內(nèi)側(cè)區(qū)域包括橫向區(qū)域和縱向區(qū)域中的至少一個，所述橫向區(qū)域和所述縱向區(qū)域中的所述至少一個在穿過與所述外側(cè)區(qū)域不同的區(qū)域的中心部分的同時連接至所述外側(cè)區(qū)域，其中所述內(nèi)側(cè)區(qū)域在由所述外側(cè)區(qū)域形成的邊界內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個有源層中的有源層形成在多個納米形狀的n型半導(dǎo)體中的每個納米形狀的n型半導(dǎo)體上，并且
其中，所述多個p型半導(dǎo)體中的p型半導(dǎo)體形成在所述多個有源層中的每個有源層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中，所述第二電極覆蓋所述絕緣層和所述多個p型半導(dǎo)體。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中，所述內(nèi)側(cè)區(qū)域包括：基于所述中心部分的、具有比所述橫向區(qū)域和所述縱向區(qū)域的寬度長的四個邊的矩形區(qū)域。
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