[發(fā)明專利]透鏡系統(tǒng)和制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880053039.6
• 申請(qǐng)日: 2018-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN110997294B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·D·卡特曼;W·J·霍爾;E·戈蘭松;T·E·里克斯曼;B·杰夫莫;B·達(dá)洛夫;S·古斯塔夫松;L·索馬爾;O·霍姆格倫;H·奧斯特林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰立戴恩菲力爾商業(yè)系統(tǒng)公司
• 主分類號(hào): B29D11/00
• 分類號(hào): B29D11/00;C03B25/02;G02B27/00
• 代理公司: 青島聯(lián)智專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37101
• 代理人: 閻娬斌;匡麗娟

1.一種用于穩(wěn)定硫?qū)倩锿哥R的方法，所述方法包括：

使用模制工藝形成硫?qū)倩锿哥R；

加熱所述硫?qū)倩锿哥R，以加速由模制工藝引起的所述硫?qū)倩锿哥R內(nèi)的內(nèi)應(yīng)力的釋放，從初始溫度到升高溫度以第一速率進(jìn)行所述加熱，并且從所述升高溫度到駐留溫度以第二速率進(jìn)行所述加熱，其中，所述第二速率與所述第一速率不同；以及

將所述硫?qū)倩锿哥R從所述駐留溫度冷卻；其中，當(dāng)冷卻后的所述硫?qū)倩锿哥R在光學(xué)組件的殼體中時(shí)，所述硫?qū)倩锿哥R在第一溫度具有調(diào)制傳遞函數(shù)，該調(diào)制傳遞函數(shù)具有在第一時(shí)間的第一值和在第二時(shí)間的第二值，其中，如果所述硫?qū)倩锿哥R在從所述第一時(shí)間到所述第二時(shí)間的一段時(shí)間保持在所述第一溫度，則從所述第一值到所述第二值的變化小于3%，并且其中，所述第一溫度在70°C至120°C的范圍內(nèi)，所述一段時(shí)間是500小時(shí)、數(shù)十年或它們之間的任意時(shí)間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模制工藝包括壓縮模制工藝，所述方法還包括：

將所述硫?qū)倩锿哥R與其他光學(xué)部件組裝，以形成光學(xué)組件，其中，以第一速率加熱所述硫?qū)倩锿哥R包括以第一速率加熱所述硫?qū)倩锿哥R和所述其他光學(xué)部件，其中，以第二速率加熱包括以第二速率加熱所述硫?qū)倩锿哥R和其他光學(xué)部件，并且其中，所述冷卻包括冷卻所述硫?qū)倩锿哥R和其他光學(xué)部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述升高溫度低于所述硫?qū)倩锿哥R的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，并且其中，所述升高溫度從100°C和140°C之間選擇。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：為了加速由模制工藝引起的所述硫?qū)倩锿哥R內(nèi)的內(nèi)應(yīng)力的釋放，將所述硫?qū)倩锿哥R在駐留溫度下維持預(yù)定時(shí)間段，其中所述第二速率低于所述第一速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述預(yù)定時(shí)間段基于所述駐留溫度來選擇，并且其中，所述預(yù)定時(shí)間段從5至100小時(shí)之間選擇。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：在其他光學(xué)部件中組裝所述硫?qū)倩锿哥R，以形成光學(xué)組件，其中，如果在以第二速率加熱期間所述硫?qū)倩锿哥R在光學(xué)組件內(nèi)，則為駐留溫度選擇第二溫度，并且其中，如果在以第二速率加熱期間所述硫?qū)倩锿哥R在光學(xué)組件外被加熱，則為駐留溫度選擇高于第二溫度的第三溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述加熱包括首先從室溫以每小時(shí)約25°C的所述第一速率加熱所述硫?qū)倩锿哥R，然后以每小時(shí)約2.5°C的所述第二速率加熱到所述駐留溫度，并且其中，所述冷卻包括將所述硫?qū)倩锿哥R從所述駐留溫度以每小時(shí)約2.5°C的速率冷卻。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述初始溫度是室溫。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述冷卻包括首先將所述硫?qū)倩锿哥R從所述駐留溫度以每小時(shí)約2.5°C的所述速率冷卻，然后以每小時(shí)約25°C的速率冷卻，以達(dá)到所述室溫。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形成包括形成所述硫?qū)倩锿哥R以具有退火前形狀和退火前有效焦距（EFL），其中，以第一速率的加熱、以第二速率的加熱和冷卻將所述硫?qū)倩锿哥R從退火前形狀和退火前有效焦距穩(wěn)定至目標(biāo)形狀和目標(biāo)有效焦距。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述冷卻之后重做所述硫?qū)倩锿哥R。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硫?qū)倩锿哥R包含As₄₀Se₆₀，并且其中，所述硫?qū)倩锿哥R由近網(wǎng)形的預(yù)制件、近球形的預(yù)制件、近卵形的預(yù)制件或平面-平面的預(yù)制件形成。

13.一種紅外成像裝置，該紅外成像裝置包括由根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法穩(wěn)定的一個(gè)或多個(gè)硫?qū)倩锿哥R。