[發明專利]結構體及其制造方法

有效

• 申請號: 201880052817.X
• 申請日: 2018-10-05
• 公開（公告）號: CN111033744B
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發明（設計）人: 佐伯幸作;西脅青兒;鳴海建治
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G02B3/00;G02B5/18;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種結構體，其具備：

第1電介體層；和

第2電介體層，其與所述第1電介體層相接觸，具有與所述第1電介體層不同的折射率，

其中，所述第2電介體層包含氫濃度互不相同的至少兩個電介體膜，

在所述第1電介體層與所述第2電介體層的界面處具有周期性的第1凹凸。

2.根據權利要求1所述的結構體，其中，

所述至少兩個電介體膜各自的厚度互不相同。

3.根據權利要求1或2所述的結構體，其中，

所述第2電介體層具有高于所述第1電介體層的折射率。

4.根據權利要求1或2所述的結構體，其中，

所述至少兩個電介體膜各自的折射率彼此相等。

5.根據權利要求1或2所述的結構體，其中，

所述至少兩個電介體膜各自為硅氮化膜。

6.根據權利要求5所述的結構體，其中，

所述至少兩個電介體膜包含第1硅氮化膜和比所述第1硅氮化膜薄的第2硅氮化膜，

所述第2硅氮化膜與所述第1硅氮化膜相比，Si-H鍵濃度高或者氫濃度高。

7.根據權利要求5所述的結構體，其中，

所述硅氮化膜的折射率為1.90～2.20。

8.根據權利要求1或2所述的結構體，其中，

所述第1電介體層為硅氧化膜。

9.根據權利要求8所述的結構體，其中，

所述硅氧化膜的折射率為1.44～1.47。

10.根據權利要求1所述的結構體，其進一步具備：

第3電介體層；和

第4電介體層，其與所述第3電介體層相接觸，

其中，所述第2電介體層配置于所述第4電介體層上，

在所述第3電介體層與所述第4電介體層的界面處具有周期性的第2凹凸，

所述第2凹凸包含底部平坦的第2凹部及與所述第2凹部相鄰的第2凸部，

在從所述第2凹部的所述底部到所述第2凸部的頂部之間沒有斜面，

在所述第4電介體層與所述第2電介體層的界面處具有周期性的第3凹凸，

所述第3凹凸包含底部部分平坦的第3凹部及與所述第3凹部相鄰的第3凸部，

在從所述第3凹部的所述底部到所述第3凸部的頂部之間具有斜面。

11.根據權利要求1所述的結構體，其中，

所述第1凹凸包含第1凹部及與所述第1凹部相鄰的第1凸部，

在從所述第1凹部的底部到所述第1凸部的頂部之間具有斜面。

12.一種結構體，其具備：

第1單元結構體；和

第2單元結構體，其層疊于所述第1單元結構體上，

其中，所述第1單元結構體及所述第2單元結構體各自包含：

第1電介體層；和

第2電介體層，其與所述第1電介體層相接觸，具有與所述第1電介體層不同的折射率，

所述第2電介體層包含氫濃度互不相同的至少兩個電介體膜，

在所述第1單元結構體中的所述第1電介體層與所述第2電介體層的界面及所述第2單元結構體中的所述第1電介體層與所述第2電介體層的界面處具有周期性的第1凹凸，

在所述第1單元結構體與所述第2單元結構體的界面處具有周期性的第4凹凸，

所述第1凹凸及所述第4凹凸具有相同的周期。

13.根據權利要求12所述的結構體，其中，

所述第1單元結構體中的所述第2電介體層中包含的所述至少兩個電介體膜的數目不同于所述第2單元結構體中的所述第2電介體層中包含的所述至少兩個電介體膜的數目。