[發明專利]扭矩檢測器及扭矩檢測器的制造方法有效
| 申請號： | 201880052321.2 | 申請日： | 2018-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN110998265B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 瀬戸祐希;石倉義之;小笠原里奈 | 申請（專利權）人： | 阿自倍尓株式會社 |
| 主分類號： | G01L3/10 | 分類號： | G01L3/10;G01L3/14 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本東京千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 扭矩 檢測器 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種扭矩檢測器，包括：
硅層，根據外力而產生應變；
電阻計，形成于所述硅層；
槽部，形成于所述硅層的一面，使所述硅層的形成有所述電阻計的部位為薄壁部；
連通槽部，形成于所述硅層的一面，且將所述槽部與所述硅層的側面連通；以及
絕緣層，與所述硅層的一面接合。
2.根據權利要求1所述的扭矩檢測器，其特征在于，
所述電阻計是通過成膜于所述硅層而形成。
3.根據權利要求1所述的扭矩檢測器，其特征在于，
所述電阻計相對于所述硅層的邊方向形成于傾斜方向。
4.根據權利要求1所述的扭矩檢測器，其特征在于，
所述電阻計是沿所述硅層的邊方向而形成。
5.一種扭矩檢測器的制造方法，包括如下的步驟：
在根據外力而產生應變的硅層形成電阻計；
在所述硅層的一面，形成使所述硅層的形成有所述電阻計的部位為薄壁部的槽部；
在所述硅層的一面形成將所述槽部與所述硅層的側面連通的連通槽部；以及
將所述硅層的一面與絕緣層加以接合。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于阿自倍尓株式會社，未經阿自倍尓株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880052321.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
