[發明專利]流體供給裝置和流體供給方法有效
| 申請號: | 201880052011.0 | 申請日: | 2018-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN110998802B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 吉田俊英;皆見幸男;篠原努 | 申請(專利權)人: | 株式會社富士金;東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 供給 裝置 方法 | ||
提供一種能夠穩定地供給超臨界流體的流體供給裝置和流體供給方法。該流體供給裝置是用于朝向處理室(500)供給向超臨界流體變化之前的液態的流體的流體供給裝置(1),其具有:冷凝器(130),其用于使氣態的二氧化碳冷凝液化;貯存器(140),其用于貯存利用冷凝器(130)冷凝液化而成的流體;泵(150),其用于朝向處理室(500)加壓輸送被貯存于貯存器(140)的液化而成的二氧化碳;以及阻尼部(10),其設于與泵(150)的噴出側連通的流路(2),用于抑制自泵(150)噴出的液體的周期性的壓力變動,阻尼部(10)具有螺旋管(20),該螺旋管(20)的兩端部固定于預定的位置,并且該螺旋管(20)形成為供自泵(150)噴出的液體流通的螺旋狀。
技術領域
本發明涉及一種半導體基板、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板等各種基板的干燥工序等所使用的流體的流體供給裝置和流體供給方法。
背景技術
大規模且高密度、高性能的半導體裝置是通過對在硅晶圓上成膜的抗蝕劑經過曝光、顯影、沖洗、干燥而形成圖案之后,經過涂敷、蝕刻、沖洗、干燥等工藝來進行制造的。特別是,高分子材料的抗蝕劑為對光、X射線、電子束等感光的高分子材料,在各工序中,由于在顯影、沖洗工序中使用了顯影液、沖洗液等藥液,因此沖洗工序后必須進行干燥工序。
在該干燥工序中,會產生這樣的問題:若在抗蝕基板上形成的圖案間的空開寬度為90nm左右以下,則會由于圖案間殘存的藥液的表面張力(毛細管力)的作用而在圖案間作用有拉普拉斯力,從而發生圖案倒塌。作為減輕作用于圖案間的表面張力以防止因該圖案間殘存的藥液的表面張力的作用導致圖案倒塌的干燥工藝,已知有一種使用了二氧化碳的超臨界流體的方法(例如,專利文獻1~4)。
專利文獻1:日本特開2014-22520號公報
專利文獻2:日本特開2006-294662號公報
專利文獻3:日本特開2004-335675號公報
專利文獻4:日本特開2002-33302號公報
發明內容
二氧化碳的超臨界流體向處理腔室的供給通過如下這樣進行,即:利用冷凝器(condenser)使來自供給源的氣態的二氧化碳(例如,20℃,5.0MPa)冷凝液化,將液化了的二氧化碳貯存于貯存器,利用泵向處理腔室加壓輸送該液化了的二氧化碳(例如,20℃,20.0MPa)。向處理腔室加壓輸送的液體狀的二氧化碳在處理腔室的前方或者處理腔室內被加熱(例如,80℃,20.0MPa),成為超臨界流體。
然而,由于利用泵加壓輸送的液態的二氧化碳發生脈動,因此液體的壓力較大地變動。因此,在處理腔室的前方或者處理腔室內變化為超臨界狀態的二氧化碳的供給量變得不穩定,從而難以穩定地供給二氧化碳的超臨界流體。
本發明的目的在于提供一種能夠穩定地供給超臨界流體的流體供給裝置和流體供給方法。
本發明的流體供給裝置是用于朝向處理室供給液態的流體的流體供給裝置,其中,
該流體供給裝置具有:
冷凝器,其用于使氣態的流體液化;
貯存器,其用于貯存利用所述冷凝器液化而成的流體;
泵,其用于朝向所述處理室加壓輸送被貯存于所述貯存器的液化而成的流體;以及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





