[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880051715.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-08-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110998814B | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;山田隆;小田大造 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日鐵化學(xué)材料株式會(huì)社;日鐵新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天達(dá)共和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 張嵩;薛侖 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 cu 合金 接合 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線，其特征在于，
在線表面的結(jié)晶方位中，相對(duì)于與包含線中心軸的一個(gè)平面垂直的方向的角度差為15度以下的＜110＞結(jié)晶方位的存在比率以平均面積率表示為25％以上70％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線，其特征在于，
在所述線表面的結(jié)晶方位中，相對(duì)于線中心軸方向、角度差為15度以下的＜111＞和＜100＞結(jié)晶方位的存在比率的合計(jì)以平均面積率表示為50％以上98％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線，其特征在于，
總計(jì)包含0.01質(zhì)量％以上3.00質(zhì)量％以下的Ni、Pd、Pt、Au的一種以上，剩余部分為Cu以及不可避免的雜質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線，其特征在于，
總計(jì)包含0.001質(zhì)量％以上1.00質(zhì)量％以下的P、In、Ga、Ge、Ag的一種以上，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置用Cu合金接合線，其特征在于，
總計(jì)還包含0.001質(zhì)量％以上1.00質(zhì)量％以下的P、In、Ga、Ge、Ag的一種以上，剩余部分為Cu和不可避免的雜質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
