[發(fā)明專利]二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)和二次電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880051610.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111052466A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪旭;井門文香;利根川明央;脅坂安顯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01M4/587 | 分類號(hào): | H01M4/587;C01B32/20;H01M4/36 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二次 電池 負(fù)極 活性 物質(zhì) | ||
1.一種二次電池用負(fù)極活性物質(zhì),其滿足下述(1)~(5):
(1)包含鱗片狀人造石墨A和塊狀(lump)人造石墨B,
(2)鱗片狀人造石墨A的體積基準(zhǔn)粒度分布中的50%直徑D50(A)相對(duì)于塊狀人造石墨B的體積基準(zhǔn)粒度分布中的50%直徑D50(B)之比D50(A)/D50(B)超過(guò)0.6且低于1.0,
(3)鱗片狀人造石墨A的表面粗糙度R為2.8以上且5.1以下,
(4)塊狀人造石墨B的表面粗糙度R為6.0以上且9.0以下,
(5)塊狀人造石墨B的質(zhì)量相對(duì)于鱗片狀人造石墨A和塊狀人造石墨B的總質(zhì)量之比B/(A+B)為0.03以上且0.30以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,鱗片狀人造石墨A的Lc超過(guò)100nm且低于300nm,塊狀人造石墨B的Lc超過(guò)50nm且低于85nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,50%直徑D50(A)為20μm以下,50%直徑D50(B)為35μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,鱗片狀人造石墨A的長(zhǎng)徑比超過(guò)1.50,塊狀人造石墨B的長(zhǎng)徑比為1.00~1.50。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,鱗片狀人造石墨A的I(110)/I(004)為0.10以下,塊狀人造石墨B的I(110)/I(004)為0.30以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,鱗片狀人造石墨A的BET比表面積為1.0~7.0m2/g,塊狀人造石墨B的BET比表面積為1.5~10.0m2/g。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的負(fù)極活性物質(zhì),其中,負(fù)極活性物質(zhì)的Lc為30nm以上,負(fù)極活性物質(zhì)的I(110)/I(004)為0.06~0.35,負(fù)極活性物質(zhì)的BET比表面積為1.6~10.0m2/g,負(fù)極活性物質(zhì)的表面粗糙度R為4.0~6.4,且負(fù)極活性物質(zhì)的體積基準(zhǔn)粒度分布中的50%直徑D50為8.0~30.0μm。
8.一種二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的制造方法,其滿足下述(1)~(5):
(1)包括將鱗片狀人造石墨A和塊狀人造石墨B混合,
(2)鱗片狀人造石墨A的表面粗糙度R為2.8以上且5.1以下,
(3)塊狀人造石墨B的表面粗糙度R為6.0以上且9.0以下,
(4)鱗片狀人造石墨A的體積基準(zhǔn)粒度分布中的50%直徑D50(A)相對(duì)于塊狀人造石墨B的體積基準(zhǔn)粒度分布中的50%直徑D50(B)之比D50(A)/D50(B)超過(guò)0.6且低于1.0,
(5)塊狀人造石墨B的質(zhì)量相對(duì)于鱗片狀人造石墨A和塊狀人造石墨B的總質(zhì)量之比B/(A+B)為0.03以上且0.30以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法,其中,鱗片狀人造石墨A的Lc超過(guò)100nm且低于300nm,塊狀人造石墨B的Lc超過(guò)50nm且低于85nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9中任一項(xiàng)所述的制造方法,其中,50%直徑D50(A)為20μm以下,50%直徑D50(B)為35μm以下。
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