[發明專利]交換耦合膜以及使用該交換耦合膜的磁阻效應元件及磁檢測裝置

在審

• 申請號: 201880051133.8
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN111033779A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 齋藤正路;遠藤廣明;小池文人
• 申請（專利權）人: 阿爾卑斯阿爾派株式會社
• 主分類號: H01L43/10
• 分類號: H01L43/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種交換耦合膜，其特征在于，

由反強磁性層與強磁性層層疊而成，

上述反強磁性層具有由PtCr層、PtMn層及IrMn層以該順序且上述IrMn層距上述強磁性層更近的方式層疊的構造。

2.如權利要求1所述的交換耦合膜，其中，

上述IrMn層以與上述強磁性層接觸的方式被層疊。

3.如權利要求1或2所述的交換耦合膜，其中，

上述PtMn層的膜厚為以上。

4.如權利要求1至3中任一項所述的交換耦合膜，其中，

上述IrMn層的膜厚為以上。

5.如權利要求1至4中任一項所述的交換耦合膜，其中，

上述PtMn層的膜厚與上述IrMn層的膜厚的總和為以上。

6.如權利要求1至5中任一項所述的交換耦合膜，其中，

上述PtCr層的膜厚，比上述PtMn層的膜厚與上述IrMn層的膜厚的總和大。

7.如權利要求6所述的交換耦合膜，其中，

上述PtCr層的膜厚同上述PtMn層的膜厚與上述IrMn層的膜厚的總和之比為5：1～100：1。

8.如權利要求1至7中任一項所述的交換耦合膜，其中，

上述強磁性層的膜厚為以上以下。

9.如權利要求1所述的交換耦合膜，其中，

具有在上述IrMn層與上述強磁性層之間還層疊有PtMn層的構造。

10.一種交換耦合膜，其特征在于，

由反強磁性層與強磁性層層疊而成，

上述反強磁性層具備含有從由白金族元素及Ni構成的群中選擇的一種或二種以上的元素X以及Mn及Cr的X(Cr－Mn)層，

上述X(Cr－Mn)層，具有距上述強磁性層相對較近的第1區域、及與上述強磁性層相對較遠的第2區域，

上述第1區域中的Mn的含有量，比上述第2區域中的Mn的含有量高。

11.如權利要求10所述的交換耦合膜，其中，

上述第1區域與上述強磁性層接觸。

12.如權利要求10或11所述的交換耦合膜，其中，

上述第1區域具有Mn的含有量相對于Cr的含有量的比即Mn/Cr比為0.3以上的部分。

13.如權利要求12所述的交換耦合膜，其中，

上述第1區域具有上述Mn/Cr比為1以上的部分。

14.一種磁阻效應元件，其特征在于，

層疊有權利要求1至13中任一項所述的交換耦合膜與自由磁性層，上述交換耦合膜的強磁性層構成固定磁性層的至少一部分。

15.一種磁檢測裝置，其特征在于，

具備權利要求14所述的磁阻效應元件。

16.如權利要求15所述的磁檢測裝置，其中，

在同一基板上具備多個權利要求14所述的磁阻效應元件，

多個上述磁阻效應元件包含上述固定磁性層的固定磁化方向不同的磁阻效應元件。