[發(fā)明專(zhuān)利]包含聚碳硅烷的碳化硅質(zhì)膜形成組合物、以及使用了其的碳化硅質(zhì)膜的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880051100.3
• 申請(qǐng)日: 2018-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111051389B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡村聰也
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 默克專(zhuān)利有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C08G77/60
• 分類(lèi)號(hào): C08G77/60;C09D183/16;C08G77/32
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

[問(wèn)題]本發(fā)明提供一種包含聚碳硅烷的組合物，其埋入性?xún)?yōu)異，可在更低溫進(jìn)行成膜，且使制造出的膜的電特性?xún)?yōu)異。[解決方案]一種碳化硅質(zhì)膜形成組合物，其包含聚碳硅烷以及溶劑，前述聚碳硅烷的¹H?NMR光譜中的3.92～4.20ppm的累積強(qiáng)度相對(duì)于3.60～5.50ppm的累積強(qiáng)度的比率為27～50％。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及包含聚碳硅烷(polycarbosilane)的碳化硅(silicon carbonaceous)質(zhì)膜形成組合物。另外，本發(fā)明涉及通過(guò)使用該碳化 硅質(zhì)膜形成組合物而得到的固化膜以及具有該固化膜的器件 (device)的制造方法、以及聚碳硅烷的制造方法。

背景技術(shù)

在電子器件尤其是半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，緩慢地推進(jìn)了器件規(guī) 則(device rule)的微細(xì)化，組入于器件中的將各器件間進(jìn)行分離的絕 緣結(jié)構(gòu)等的尺寸也要求微細(xì)化。在這樣的絕緣結(jié)構(gòu)中形成層間絕 緣膜，對(duì)于絕緣膜，人們要求其具有平整性、絕緣特性等各種各樣的特性。作為更簡(jiǎn)易地形成絕緣膜的方法，有人提出了使用了 包括有機(jī)材料以及無(wú)機(jī)材料在內(nèi)的各種各樣的涂布系材料的形成 方法。其中之一是包含聚碳硅烷的組合物。通過(guò)將聚碳硅烷進(jìn)行 熱處理而獲得的碳化硅質(zhì)材料的耐熱性?xún)?yōu)異，不但用作絕緣膜， 而且也用作蝕刻終止膜、硬質(zhì)掩膜。

隨著絕緣結(jié)構(gòu)的微細(xì)化的推進(jìn)，人們要求開(kāi)發(fā)出一種材料， 其相對(duì)于凹凸結(jié)構(gòu)的埋入性進(jìn)一步良好，可實(shí)現(xiàn)全面的(global)平 整化。另外，考慮到對(duì)器件造成的影響，也要求開(kāi)發(fā)出一種材料， 其可在更低溫進(jìn)行成膜，且制造出的膜的電特性?xún)?yōu)異。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)1995-118007號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2008-210929號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

用于解決課題的方案

本發(fā)明基于上述那樣的情形而完成，提供一種包含聚碳硅烷 的組合物，其埋入性?xún)?yōu)異，可在更低溫進(jìn)行成膜，且使制造出的 膜的電特性?xún)?yōu)異。

本發(fā)明的組合物的特征在于，其為包含聚碳硅烷以及溶劑的 碳化硅質(zhì)膜形成組合物，聚碳硅烷的¹H-NMR光譜中的3.92～ 4.20ppm的累積強(qiáng)度(integrated intensity)相對(duì)于3.60～5.50ppm的 累積強(qiáng)度的比率為27～50％。

另外，本發(fā)明的碳化硅質(zhì)膜的制造方法的特征在于，其包含 如下的工序：將上述的組合物涂布于基材，利用加熱進(jìn)行固化。

另外，本發(fā)明的電子器件的制造方法的特征在于，其包含上 述的碳化硅質(zhì)膜的制造方法。

另外，本發(fā)明的聚碳硅烷的制造方法的特征在于，包含如下 的工序：將聚二甲基硅烷在0.15～0.9MPa、700℃以上的條件下進(jìn) 行熱處理。

發(fā)明的效果

本發(fā)明提供埋入性?xún)?yōu)異的碳化硅質(zhì)膜形成組合物。通過(guò)使用 此組合物，可制造相比于以前而言在更低溫顯現(xiàn)優(yōu)異的電特性的 碳化硅質(zhì)膜。

附圖說(shuō)明

圖1：本發(fā)明的聚碳硅烷的¹H-NMR光譜

圖2：本發(fā)明的聚碳硅烷的²⁹Si-NMR光譜

圖3：本發(fā)明的聚碳硅烷的DEPT²⁹Si-NMR光譜

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。