[發(fā)明專利]銀納米線的制造方法以及銀納米線、銀納米線墨及透明導(dǎo)電膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880051092.2 | 申請日： | 2018-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN111032255A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 佐藤王高 | 申請（專利權(quán)）人： | 同和電子科技有限公司 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 張智慧 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 制造 方法 以及 透明 導(dǎo)電 | ||
1.銀納米線的制造方法，其具有在溶解有銀化合物、有機保護劑的醇溶劑中使銀還原析出為線狀的工序，其特征在于，
使用具有乙烯基吡咯烷酮結(jié)構(gòu)單元的聚合物作為所述有機保護劑，
設(shè)為使烷基醚以0.3～25.0mmol/L的濃度溶解于所述醇溶劑中的狀態(tài)，在該液體中進行所述還原析出。
2.權(quán)利要求1所述的銀納米線的制造方法，其中，還原析出平均長度15μm以上、平均直徑35nm以下、且用下述(1)式定義的平均長徑比AM為800以上的銀納米線，
AM＝LM/DM…(1)
其中，LM為用nm單位表示上述平均長度的值，DM為用nm單位表示上述平均直徑的值。
3.權(quán)利要求1所述的銀納米線的制造方法，其中，所述烷基醚為甲基叔丁基醚。
4.權(quán)利要求1所述的銀納米線的制造方法，其中，所述聚合物為PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)、或乙烯基吡咯烷酮和親水性單體的共聚物。
5.權(quán)利要求1所述的銀納米線的制造方法，其中，所述聚合物具有乙烯基吡咯烷酮和選自二烯丙基二甲基銨鹽、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸4-羥基丁酯、N-甲基馬來酰亞胺、N-乙基馬來酰亞胺、N-丙基馬來酰亞胺、N-叔丁基馬來酰亞胺、甲基丙烯酸2-二甲基氨基乙酯和甲基丙烯酸2-二乙基氨基乙酯中的1種或2種以上的單體的聚合組成。
6.權(quán)利要求1所述的銀納米線的制造方法，其中，所述聚合物的重均分子量Mw為30,000～300,000。
7.銀納米線，其通過權(quán)利要求1所述的制造方法而得到。
8.銀納米線墨，其中，通過權(quán)利要求1所述的制造方法而得到的銀納米線分散于液態(tài)介質(zhì)中。
9.透明導(dǎo)電膜，其含有通過權(quán)利要求1所述的制造方法而得到的銀納米線作為導(dǎo)電材料。
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