[發明專利]放熱構件用組合物、放熱構件、電子機器、放熱構件的制造方法

在審

• 申請號: 201880050456.5
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN111051466A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 氏家研人;藤原武;國信隆史;滝沢和宏
• 申請（專利權）人: 捷恩智株式會社
• 主分類號: C09K5/14
• 分類號: C09K5/14;H01L23/373;H05K7/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種放熱構件用組合物，含有：與第1硅烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料、與第2硅烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料以及二官能以上的羧酸酐。

2.根據權利要求1所述的放熱構件用組合物，其中與第1硅烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料中，所述第1硅烷偶合劑的另一端與二官能以上的羧酸酐鍵結。

3.根據權利要求1或2所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的羧酸酐為作為選自由鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、馬來酸酐、乙酸酐、丙酸酐及苯甲酸酐所組成的群組中至少一種的羧酸酐。

4.根據權利要求1或2所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式(1)、式(2)及式(3)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；

[所述式(1)、式(2)及式(3)中，

R¹為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。]

5.根據權利要求1或2所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式(4)及式(5)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；

[所述式(4)及式(5)中，

R²為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基；式(4)及式(5)各式中，R³獨立地為碳或氮。]

6.根據權利要求1或2所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式(6)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；

[所述式(6)中，

R⁴及R⁵為獨立地選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基；式(6)中，n獨立地為1～4。]

7.根據權利要求1至6中任一項所述的放熱構件用組合物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、金屬氧化物、硅酸鹽化合物、或碳材料。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的放熱構件用組合物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、氮化鋁、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、碳納米管、氧化鋁及堇青石中的至少一種。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的放熱構件用組合物，進而包含具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率的第3無機填料。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的放熱構件用組合物，進而包含所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的聚合性化合物或高分子化合物。

11.一種放熱構件，是如權利要求1至10中任一項所述的放熱構件用組合物硬化而成。

12.一種電子機器，包括：

如權利要求11所述的放熱構件、以及

具有發熱部的電子裝置，并且

所述放熱構件是以與所述發熱部接觸的方式配置于所述電子裝置。

13.一種放熱構件用組合物的制造方法，包括：

使第1無機填料與第1硅烷偶合劑的一端鍵結的步驟、以及

使第2無機填料與第2硅烷偶合劑的一端鍵結的步驟，且進而包括：

使所述第1硅烷偶合劑的另一端與所述第2硅烷偶合劑的另一端分別與二官能以上的羧酸酐鍵結的步驟。