[發(fā)明專利]基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880050289.4 | 申請日： | 2018-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN111033372B | 公開（公告）日： | 2022-10-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐漢珉;黃智泳;崔賢;李承憲;吳東炫;柳正善;宋哲沃;裴南錫 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社LG化學(xué) |
| 主分類號： | G02F1/1339 | 分類號： | G02F1/1339;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙丹;吳娟 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基板 | ||
1.一種基板，包括基礎(chǔ)層；和存在于所述基礎(chǔ)層上的復(fù)數(shù)個間隔物，
其中，當(dāng)任意地選擇所述復(fù)數(shù)個間隔物中的三個、四個或六個間隔物使得所選擇的間隔物形成作為其中不存在其他間隔物的閉合圖形的三角形、四邊形或六邊形時，所選擇的間隔物設(shè)置成使得所述三角形、所述四邊形或所述六邊形中的邊的長度中的至少一者不同于其他的邊的長度，
其中，當(dāng)在所述基礎(chǔ)層的表面上任意地指定具有10P作為一條邊長度的兩個或更多個正方形區(qū)域使得所指定的正方形區(qū)域不彼此重疊時，相對于所述基礎(chǔ)層的總面積，由所指定的正方形區(qū)域占據(jù)的面積為30％或更大，P為所述復(fù)數(shù)個間隔物的標(biāo)準(zhǔn)間距，并且在所指定的正方形區(qū)域的每一個中的間隔物的數(shù)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差為2或更小，
其中所述三角形、所述四邊形或所述六邊形中的邊的長度中的最大長度為600μm或更小，并且
其中所指定的正方形區(qū)域的每一個中的間隔物的平均數(shù)量(A)與標(biāo)準(zhǔn)偏差(SD)的比率(SD/A)為0.005至0.1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述標(biāo)準(zhǔn)間距P在50μm至1,000μm的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所指定的正方形區(qū)域的每一個中的間隔物的平均數(shù)量(A)與標(biāo)準(zhǔn)偏差(SD)的比率(SD/A)為0.005至0.09。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其中所述間隔物的平均數(shù)量(A)在80至150的范圍內(nèi)。
5.一種基板，包括基礎(chǔ)層；和存在于所述基礎(chǔ)層上的復(fù)數(shù)個間隔物，
其中，當(dāng)任意地選擇所述復(fù)數(shù)個間隔物中的三個、四個或六個間隔物使得所選擇的間隔物形成作為其中不存在其他間隔物的閉合圖形的三角形、四邊形或六邊形時，所選擇的間隔物設(shè)置成使得所述三角形、所述四邊形或所述六邊形中的邊的長度中的至少一者不同于其他的邊的長度，
當(dāng)所述基礎(chǔ)層的表面被劃分為兩個或更多個具有相同面積的正方形區(qū)域時，具有相同面積的所述正方形區(qū)域的每一個中的間隔物的數(shù)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1至2，以及
其中所述三角形、所述四邊形或所述六邊形中的邊的長度中的最大長度為600μm或更小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中所述基礎(chǔ)層為有機(jī)基礎(chǔ)層或無機(jī)基礎(chǔ)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中作為閉合圖形的所述三角形、所述四邊形或所述六邊形中具有相同長度的邊的比率小于85％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中所述復(fù)數(shù)個間隔物的間隔正態(tài)分布圖的半高面積在0.6至0.75的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中所述復(fù)數(shù)個間隔物的間隔正態(tài)分布圖的半高寬(FWHM)與所述間距P的比率(FWHM/P)為1或更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中所述復(fù)數(shù)個間隔物的間隔正態(tài)分布圖的半高寬(FWHM)在0.5μm至1,000μm的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中所述復(fù)數(shù)個間隔物的間隔正態(tài)分布圖的最大高度(Fmax)為0.006或更大且小于1。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中在所述基礎(chǔ)層的表面上選擇的具有P作為一條邊的虛擬正方形區(qū)域中的間隔物的數(shù)量在0至4的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基板，其中相對于所述基礎(chǔ)層的總面積所述復(fù)數(shù)個間隔物所占的面積的比率為50％或更小。
14.一種光學(xué)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板和第二基板，所述第二基板與所述基板相對設(shè)置并且通過所述基板中的間隔物與所述基板保持間隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)裝置，其中在所述基板與所述第二基板之間的所述間隙中存在液晶材料。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
