[發明專利]用于制造多個激光二極管的方法和激光二極管

有效

• 申請號: 201880050276.7
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110945726B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: J.布呂克納;S.格哈德
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;劉春元

說明了一種用于制造多個激光二極管（1）的方法，具有以下方法步驟：?在復合體（20）中提供多個激光條（2），其中每個激光條（2）包括并排布置的多個激光二極管元件（3），并且所述激光二極管元件（3）具有公共襯底（4）并且分別具有布置在所述襯底（4）上的半導體層序列（5），以及其中在分別于兩個相鄰激光條（2）之間延伸的縱向分離平面（y?y’）上劃分所述復合體（20）導致構造出要制造的激光二極管（1）的激光刻面（1C），?在至少一個縱向分離平面（y?y'）上對所述復合體（20）進行結構化，其中在所述襯底（4）中產生結構化區域（8）。此外說明了一種可以使用該方法來制造的激光二極管（1）。

技術領域

說明了一種用于制造多個激光二極管的方法。特別地，所述激光二極管由在復合體中存在的多個激光條分離出。此外，說明了可以使用所述方法制造的激光二極管。

背景技術

一種用于分離布置在復合體中的激光條的可能的方法是折斷所述激光條。在此，優選地，有針對性地在用于所述激光條的材料的晶體平面上折斷該復合體，以便由此構造出要制造的激光二極管的激光刻面。折斷面理想地是原子光滑的，以便具有適于激光運行的低的粗糙度和足夠的光學反射率。

然而，激光刻面的構造是一種技術上的挑戰，因為各種因素（例如，折斷工藝的類型、所引入的凹口處的折斷的初始化以及激光條復合體的整體和局部應力關系）會影響所述激光刻面的質量。例如，在不利的應力關系下，激光刻面上會出現晶體臺階，這些晶體臺階一方面使反射率變差并導致光輸出降低，另一方面代表了質量風險，因為這些晶體臺階可能導致自發性故障。但是，激光條復合體的基本結構變化可能不能容易地進行，因為所述結構變化一方面可能會影響所述折斷，另一方面可能會影響最終激光二極管的功能。

發明內容

本申請的任務是說明一種用于制造多個激光二極管的改進方法。該任務尤其通過具有獨立方法權利要求的特征的制造方法來加以解決。

本申請的另一個任務是說明一種具有改善的質量的激光二極管。該任務尤其通過具有獨立產品權利要求的特征的激光二極管來加以解決。

所述制造方法和所述激光二極管的有利擴展是從屬權利要求的主題。

根據至少一個實施方式，用于制造多個激光二極管的所述方法具有以下方法步驟：

-在復合體中提供多個激光條，其中每個激光條包括并排布置的多個激光二極管元件，并且這些激光二極管元件具有共同的襯底，并且分別具有布置在所述襯底上的半導體層序列，并且其中分別在于兩個相鄰的激光條之間延伸的縱向分離平面上劃分所述復合體導致構造出要制造的激光二極管的激光刻面，

-在至少一個縱向分離平面上對所述復合體進行結構化，其中在所述襯底中產生結構化區域。

在此，上述方法步驟按說明的順序執行。

通過對所述襯底的結構化可以有利地避免對激光器設計的基本干預，所述襯底對于光學反射率而言不如所述半導體層序列重要。

在復合體中提供多個激光條優選地包括提供襯底和包括多個半導體層的半導體層序列。優選對所述半導體層序列進行結構化，使得可以向每個激光二極管元件分配半導體層序列。