[發明專利]銅銀合金的合成方法、導通部的形成方法、銅銀合金、以及導通部有效
| 申請號: | 201880049672.8 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN111032912B | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 酒金婷;上島稔;菅沼克昭;李萬里 | 申請(專利權)人: | 千住金屬工業株式會社;國立大學法人大阪大學 |
| 主分類號: | C23C26/00 | 分類號: | C23C26/00;C09D11/037;C09D11/52;H01B13/00;H05K3/12;C22C9/00;C22C5/08 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合金 合成 方法 導通部 形成 以及 | ||
1.一種銅銀合金的合成方法,其特征在于,具備如下工序:
墨調制工序,將銅鹽顆粒、胺系溶劑、及銀鹽顆粒混合從而調制銅銀墨;
涂布工序,將所述銅銀墨涂布于被涂布構件;
晶核生成工序,實施第1加熱,所述第1加熱以70~300℃將涂布有所述銅銀墨的被涂布構件加熱1~300分鐘,由所述銅銀墨生成晶體粒徑為0.2μm以下的銅的晶核及晶體粒徑為0.2μm以下的銀的晶核中的至少一者;以及,
晶核合成工序,實施第2加熱,所述第2加熱以照射時間為1秒以內且能量密度為0.5~5.0J/cm2的脈沖光照射所述銅的晶核及所述銀的晶核,對所述銅的晶核及所述銀的晶核進行合成。
2.根據權利要求1所述的銅銀合金的合成方法,其中,在所述晶核生成工序后且所述晶核合成工序前,將所述被涂布構件冷卻至不足60℃的溫度區域。
3.根據權利要求1或2所述的銅銀合金的合成方法,其中,所述銅銀墨還含有分散介質。
4.根據權利要求1或2所述的銅銀合金的合成方法,其中,在所述涂布工序后且所述晶核生成工序前具備預加熱工序,所述預加熱工序以25℃以上且不足70℃進行0~10分鐘的預加熱。
5.根據權利要求3所述的銅銀合金的合成方法,其中,在所述涂布工序后且所述晶核生成工序前具備預加熱工序,所述預加熱工序以25℃以上且不足70℃進行0~10分鐘的預加熱。
6.一種導通部的形成方法,其特征在于,具備權利要求1~5中的任一項所述的銅銀合金的合成方法。
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