[發(fā)明專利]用于管腔內(nèi)超聲成像換能器的埋入式溝槽以及相關(guān)的設(shè)備、系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880049313.2 | 申請日： | 2018-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN110958916B | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | R·德克爾;V·A·亨內(nèi)肯;M·C·盧韋斯;A·阿爾斯蘭卡里西 | 申請（專利權(quán)）人： | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號： | B06B1/02 | 分類號： | B06B1/02;A61B8/12;A61B8/00;B06B1/06;H01L41/053 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉兆君 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 管腔內(nèi) 超聲 成像 換能器 埋入 溝槽 以及 相關(guān) 設(shè)備 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種管腔內(nèi)超聲成像設(shè)備，包括：
柔性細(xì)長構(gòu)件(115)，其被配置為被定位在患者的身體管腔(120)內(nèi)，所述柔性細(xì)長構(gòu)件(115)包括近側(cè)部分和遠(yuǎn)側(cè)部分；以及
超聲成像組件，其被設(shè)置在所述柔性細(xì)長構(gòu)件(115)的所述遠(yuǎn)側(cè)部分，所述超聲成像組件被配置為獲得所述身體管腔(120)的成像數(shù)據(jù)，所述超聲成像組件包括換能器陣列(124)，所述換能器陣列包括：
襯底(202、402、502、702)，其被分成包括用于微機械超聲換能器元件的區(qū)域(406、806)的多個間隔開的段(141、841)，所述區(qū)域(406、806)被設(shè)置在所述段上(141、841)，所述段(141、841)均具有多個側(cè)壁(710)并且由隔離區(qū)域(408)圍繞，
硬掩模層(404、504、804、854)，其被設(shè)置在所述襯底(202、402、502、702)上，以及
多行換能器元件(418)，其在所述區(qū)域(406、806)中被設(shè)置在所述硬掩模層(404、504、804)上，
其中，所述硬掩模層(404、504、804、854)被構(gòu)圖為在用于所述微機械超聲換能器元件的所述區(qū)域(406、806)周圍的所述隔離區(qū)域(408)中的一個上形成屏蔽(520)，并且其中，所述隔離區(qū)域(408)中的所述一個上的所述屏蔽(520)包括穿過所述硬掩模層(404、504、804、854)形成的孔(410)的陣列，
其中，所述襯底(202、402、502、702)的所述多個間隔開的段(141、841)中的每個段的至少一個側(cè)壁(710)包括沿彼此垂直的兩個方向傳播的有圓齒的蝕刻特征(714)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管腔內(nèi)超聲成像設(shè)備，
其中，所述襯底(202、402、502、702)包括硅，
其中，所述硬掩模層(404、504、804)包括氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管腔內(nèi)超聲成像設(shè)備，其中，所述多行換能器元件(418)中的每個包括電容式微機械超聲換能器(CMUT)元件或壓電微機械超聲換能器(PMUT)元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管腔內(nèi)超聲成像設(shè)備，
其中，所述超聲成像組件還包括柔性互連件(210)，
其中，所述多行換能器元件(418)中的兩行通過溝槽(412、414)彼此間隔開，
其中，所述柔性互連件(210)跨過所述溝槽(412、414)，并且
其中，所述柔性互連件(210)包括含有凹口的陣列的表面。
5.一種制造管腔內(nèi)超聲成像設(shè)備的方法，包括：
提供襯底(402)，所述襯底在所述襯底(402)的第一面上包括硬掩模(404)，所述襯底(402)包括用于微機械超聲換能器元件(418)的區(qū)域(406)，所述區(qū)域(406)被布置在段(441)中，并且所述段(441)由隔離特征要被形成于其中的隔離區(qū)域(408)圍繞；以及
在第一區(qū)域中形成穿過所述硬掩模(404)的第一多個孔，所述第一區(qū)域在圍繞所述微機械超聲換能器元件要被制造于其中的所述區(qū)域(406)的所述隔離區(qū)域(408)中的一個之上；
穿過所述第一多個孔(410)蝕刻所述襯底(402)，從而在所述襯底(402)中的所述段(441)之間形成溝槽(412、414)以提供所述隔離特征；
在所述第一多個孔(410)上沉積材料層(416)；
鄰近用于所述微機械超聲換能器元件(418)的所述區(qū)域(406)中的所述第一區(qū)域形成多個超聲換能器元件(418)；以及
在所述第一區(qū)域中并且在用于所述微機械超聲換能器元件(418)的所述區(qū)域(406)中在所述襯底(402)上方形成柔性層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述襯底(402)是絕緣體上硅(SOI)襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，提供所述襯底(402)包括在所述襯底(402)的第一側(cè)上形成硬掩模(404)。
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