[發(fā)明專利]在互連金屬化中沉積釕層

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880049228.6
• 申請(qǐng)日: 2018-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN110959186A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金都永;羅鄭碩;照健·史蒂文·黎;拉什納·胡馬雍;米卡爾·達(dá)內(nèi)克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種方法，其包括：

接收包含特征的襯底；

執(zhí)行多個(gè)原子層沉積(ALD)循環(huán)以在所述特征中沉積釕(Ru)襯里層，其中所述ALD循環(huán)中的每一個(gè)包括還原劑配料；以及

在沉積所述Ru襯里層之后，通過使第一釕前體與氧化劑反應(yīng)，至少部分地用釕填充所述特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)ALD循環(huán)中的每一個(gè)包括使第二釕前體與所述還原劑反應(yīng)，所述第二釕前體不同于所述第一釕前體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)ALD循環(huán)中的每一個(gè)包括使所述第一釕前體與所述還原劑反應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特征包括第一襯里層，在其上沉積所述Ru襯里。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述ALD循環(huán)是熱ALD循環(huán)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述ALD循環(huán)是等離子體增強(qiáng)的ALD(PEALD)循環(huán)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述還原劑是H₂或NH₃或由H₂或NH₃產(chǎn)生的等離子體物質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氧化劑是O₂、O₃或H₂O。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)ALD循環(huán)中的每一個(gè)包括使所述第一釕前體與氧化劑反應(yīng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述還原劑的所述配料使并入所述Ru襯里層或下面金屬層中的氧去除。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特征被釕完全填充。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特征完全由選自Ru、Cu、W、Co、Mo、Ni和Al的金屬填充。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)ALD循環(huán)中的每一個(gè)包括釕前體配料以及隨后的氧化劑配料。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述釕前體配料和氧化劑配料是非等離子體配料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述多個(gè)ALD循環(huán)中的每一個(gè)在所述氧化劑配料之后包括還原性等離子體配料。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在氧化劑配料和所述還原性等離子體配料之間沒有清掃。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述氧化劑配料是氧化劑和還原劑的混合物。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Ru襯里層為2nm或更小。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Ru襯里層沉積在選自碳氮化鎢(WCN)、氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、碳化鎢(WC)和氮化鉭(TaN)的層上。