[發明專利]金剛石層疊硅晶片的制造方法及金剛石層疊硅晶片有效
| 申請號： | 201880048894.8 | 申請日： | 2018-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN111051579B | 公開（公告）日： | 2021-12-28 |
| 發明（設計）人： | 古賀祥泰 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C23C16/27;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 楊戩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金剛石 層疊 晶片 制造 方法 | ||
1.一種金剛石層疊硅晶片的制造方法，其特征在于，
使金剛石粒子附著于氧濃度為5×1017atom/cm3以下的硅晶片上之后，通過化學氣相沉積法以所述金剛石粒子為晶核而使金剛石層在所述硅晶片上生長，
所述金剛石層中的金剛石粒子的最大粒徑為2.0μm以下，
所述金剛石層的厚度為10μm以上。
2.根據權利要求1所述的金剛石層疊硅晶片的制造方法，其中，
在所述硅晶片上涂布含金剛石粒子的液體之后，或者在將所述硅晶片浸漬于含金剛石粒子的液體之后，通過對所述硅晶片實施熱處理而使所述金剛石粒子附著于所述硅晶片上。
3.根據權利要求2所述的金剛石層疊硅晶片的制造方法，其中，
所述含金剛石粒子的液體中的金剛石粒子帶負電荷。
4.根據權利要求2所述的金剛石層疊硅晶片的制造方法，其中，
所述含金剛石粒子的液體中的金剛石粒子的平均粒徑為50nm以下。
5.根據權利要求2所述的金剛石層疊硅晶片的制造方法，其中，
在所述熱處理中，所述硅晶片的溫度低于100℃。
6.根據權利要求1所述的金剛石層疊硅晶片的制造方法，其中，
所述硅晶片的電阻率為1000Ω·cm以上。
7.一種金剛石層疊硅晶片，其特征在于，具有：
氧濃度為5×1017atom/cm3以下的硅晶片；及形成于所述硅晶片上的金剛石層，
所述金剛石層中的金剛石粒子的最大粒徑為2.0μm以下，
所述金剛石層的厚度為10μm以上。
8.根據權利要求7所述的金剛石層疊硅晶片，其中，
所述硅晶片的電阻率為1000Ω·cm以上。
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