[發(fā)明專利]基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880048881.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110959135B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋哲沃;黃智泳;徐漢珉;樸圣恩;裴南錫;李承憲;柳正善
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社LG化學(xué)
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙丹;尚光遠(yuǎn)

1.一種基板，包括基礎(chǔ)層和黑柱狀間隔物，所述黑柱狀間隔物形成在所述基礎(chǔ)層上并且具有在1.1至4的范圍內(nèi)的光密度，所述黑柱狀間隔物的頂部為半球形，

其中在所述黑柱狀間隔物的底部形成漸縮部分，在所述漸縮部分中截面軌跡為曲率中心形成在截面外部的彎曲形狀，以及

其中所述黑柱狀間隔物的損失率為15％或更小，所述黑柱狀間隔物的損失率通過將Nichiban膠帶CT-24以寬度為24mm且長度為40mm的矩形附接區(qū)域附接至其上形成有所述黑柱狀間隔物的所述基礎(chǔ)層的表面上，以及然后以30mm/秒的剝離速率和180度的剝離角在縱向方向上剝離所述Nichiban膠帶CT-24來測量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述黑柱狀間隔物包含顏料或染料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述黑柱狀間隔物包含金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物、基于偶氮的顏料、酞菁顏料或基于碳的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述黑柱狀間隔物包含炭黑或石墨。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述基礎(chǔ)層為無機(jī)基礎(chǔ)層或有機(jī)基礎(chǔ)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中在所述基礎(chǔ)層與所述黑柱狀間隔物之間還存在電極層，并且所述黑柱狀間隔物與所述電極層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中半球形部分的截面軌跡的最大曲率為2000mm^-1或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板，其中所述半球形部分的所述截面軌跡不包括曲率為0mm^-1的軌跡。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中半球形部分具有在1μm至20μm的范圍內(nèi)的高度和在2μm至40μm的范圍內(nèi)的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，還包括附接至其上形成有所述黑柱狀間隔物的所述基礎(chǔ)層的表面的保護(hù)壓敏粘合膜。

11.一種用于生產(chǎn)基板的方法，所述基板包括黑柱狀間隔物，所述黑柱狀間隔物形成在基礎(chǔ)層上并且具有在1.1至4的范圍內(nèi)的光密度，所述黑柱狀間隔物的頂部為半球形，

所述方法包括在通過包括遮光層的壓印掩模壓制可光固化材料的狀態(tài)下使所述可光固化材料固化的步驟，所述可光固化材料形成在所述基礎(chǔ)層上形成的所述黑柱狀間隔物，

其中所述包括遮光層的壓印掩模具有在透光主體的一個表面上形成凹半球形，以及在所述主體的其上未形成所述半球形的表面上形成遮光膜的形式，以及

在其上形成有所述凹半球形的表面與所述可光固化材料緊密接觸的狀態(tài)下使所述可光固化材料固化。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于生產(chǎn)基板的方法，其中在所述基礎(chǔ)層上形成電極層以及在所述電極層上形成所述可光固化材料。

13.一種光學(xué)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板和第二基板，所述第二基板與所述基板相對設(shè)置并且通過所述基板中的所述黑柱狀間隔物保持與所述基板的間隙。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)裝置，其中在所述基板與所述第二基板之間的所述間隙中存在液晶材料。