[發(fā)明專利]利用離子植入的極紫外光光致抗蝕劑的效能改善

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880048752.1
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN110945431A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔斯坦·馬;戴輝雄;安東尼·雷諾;約翰·哈塔拉;約瑟·歐爾森
• 申請（專利權(quán)）人: 瓦里安半導體設(shè)備公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/74;H01L21/027
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種對襯底進行圖案化的方法，包括：

在所述襯底上提供毯覆式光致抗蝕劑層；

向所述毯覆式光致抗蝕劑層中執(zhí)行植入物質(zhì)的離子植入程序，所述植入物質(zhì)在極紫外光(EUV)范圍中的波長下包括增強的吸收效率；以及

在所述執(zhí)行所述離子植入程序之后，執(zhí)行圖案化曝光，以將所述毯覆式光致抗蝕劑層曝光于極紫外光輻射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述植入物質(zhì)是Xe或Sn。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述執(zhí)行所述離子植入程序包括所述植入物質(zhì)在所述毯覆式光致抗蝕劑層的外表面下產(chǎn)生以深度為函數(shù)的濃度峰值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述植入物質(zhì)在室溫下包括氣態(tài)物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述植入物質(zhì)在所述毯覆式光致抗蝕劑層的外表面下以深度為函數(shù)的濃度在至少5nm的深度內(nèi)增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述離子植入程序包括向所述毯覆式光致抗蝕劑層中執(zhí)行多次離子植入，以產(chǎn)生不均勻深度分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述圖案化曝光是在所述離子植入之后不到5小時而執(zhí)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對襯底進行圖案化的方法，其中所述極紫外光范圍中的所述波長是13.5nm。

9.一種增強光致抗蝕劑層的方法，包括：

將所述光致抗蝕劑層作為毯覆式光致抗蝕劑層施加在襯底上；以及

在對所述毯覆式光致抗蝕劑層進行圖案化之前，向所述毯覆式光致抗蝕劑層中執(zhí)行植入物質(zhì)的離子植入程序，所述植入物質(zhì)在極紫外光(EUV)范圍中的波長下包括增強的吸收效率，所述增強的吸收效率大于2×10⁶cm²/mol。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的增強光致抗蝕劑層的方法，其中所述離子植入程序包括多個離子植入程序，其中植入深度在所述多個植入程序之間變化。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的增強光致抗蝕劑層的方法，其中所述多個植入程序在所述毯覆式光致抗蝕劑層中產(chǎn)生以深度為函數(shù)的所述植入物質(zhì)的不均勻深度分布，其中所述植入物質(zhì)的濃度在所述毯覆式光致抗蝕劑層內(nèi)以深度為函數(shù)增加。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的增強光致抗蝕劑層的方法，其中所述植入物質(zhì)的植入能量小于1000eV，且相對于所述襯底的平面的法線，所述植入物質(zhì)的入射角大于30度。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的增強光致抗蝕劑層的方法，其中所述毯覆式光致抗蝕劑層包括含有金屬氧化物顆粒的金屬氧化物光致抗蝕劑。

14.一種改善光致抗蝕劑層的圖案化的方法，包括：

在襯底上提供底層；

向所述底層中執(zhí)行植入物質(zhì)的離子植入程序，所述植入物質(zhì)在極紫外光(EUV)范圍中的波長下包括增強的吸收效率，所述增強的吸收效率大于2×10⁶cm²/mol；

將所述光致抗蝕劑層作為毯覆式光致抗蝕劑層施加在所述底層上；以及

通過曝光于極紫外光輻射來對所述毯覆式光致抗蝕劑層進行圖案化。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述植入物質(zhì)被植入到所述底層的頂表面附近的頂部區(qū)中。