[發(fā)明專利]旋轉(zhuǎn)電機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880048681.5
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN110945755B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋裕樹;谷口真
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H02K3/04
• 分類號: H02K3/04;H02K3/34
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡曼

1.一種旋轉(zhuǎn)電機(jī)(10)，包括：

磁場發(fā)生單元(40)，該磁場發(fā)生單元具有筒狀的磁體單元(42)，該磁體單元包括了具有N極和S極的多個磁極，N極和S極在磁體單元(42)的周向上交替配置；

電樞(50)，該電樞具有多相的電樞繞組(51)；以及

轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子由所述磁場發(fā)生單元和所述電樞中的任意一個構(gòu)成，

所述磁體單元具有第一部分(250)和第二部分(260)，所述第一部分比所述第二部分靠近dq軸坐標(biāo)系的d軸，所述第二部分比所述第一部分靠近dq軸坐標(biāo)系的q軸，

所述磁體單元磁取向成滿足以下條件：所述第一部分的易磁化軸(300)和所述d軸所成的角度(θ11)小于所述第二部分的易磁化軸(310)和所述q軸所成的角度(θ12)，

所述磁場發(fā)生單元構(gòu)成為內(nèi)稟矯頑力是400kA/m，殘留磁通密度在1.0T以上，

所述電樞繞組具有多個導(dǎo)電構(gòu)件(81、82)，多個該導(dǎo)電構(gòu)件與所述磁場發(fā)生單元相對并且在所述電樞的周向上空開規(guī)定間隔地配置，

所述電樞繞組形成為具有規(guī)定的第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸是在所述電樞的徑向上互相相對的外側(cè)面與內(nèi)側(cè)面之間的距離，所述第二尺寸是作為所述電樞的多相之一發(fā)揮作用的所述電樞繞組的一部分在所述電樞的周向上的長度，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，

具有分別配置于所述電樞繞組的互相相鄰的所述導(dǎo)電構(gòu)件之間的多個導(dǎo)線間構(gòu)件(142)，在將所述電樞繞組的、存在于范圍(Wn)內(nèi)的所述導(dǎo)線間構(gòu)件的總計寬度設(shè)為Wt，所述導(dǎo)線間構(gòu)件的飽和磁通密度設(shè)為Bs，將生成所述磁極之一的所述磁體單元的一部分的、所述磁體單元在周向上的尺寸設(shè)為Wm，所述磁體單元的殘留磁通密度設(shè)為Br的情況下，所述導(dǎo)線間構(gòu)件由滿足Wt×Bs≤Wm×Br的關(guān)系的構(gòu)件形成，所述范圍(Wn)對應(yīng)于和所述磁體單元的磁極之一一起發(fā)揮磁作用并且在所述電樞的周向上延伸的所述電樞的部分(350)的尺寸，

或者構(gòu)成為，所述導(dǎo)電構(gòu)件在所述電樞的周向上空開規(guī)定間隔地配置，在互相相鄰的導(dǎo)電構(gòu)件之間配置有非磁性體(57、143)，該非磁性體將所述規(guī)定間隔全部占據(jù)，

所述導(dǎo)電構(gòu)件分別由捆扎的多個線材(86)構(gòu)成，

所述導(dǎo)電構(gòu)件的各自的所述線材在互相接觸狀態(tài)下相鄰，相鄰的各兩個所述線材在相鄰的方向上具有第一電阻率，所述線材分別在長度方向上具有第二電阻率，所述第一電阻率大于所述第二電阻率。