[發明專利]電容器

有效

• 申請號: 201880048521.0
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN110959188B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 原田真臣;泉谷淳子;香川武史;松原弘
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

本發明的目的在于提供抑制保護層電容，且即使在高溫時、高濕度時也具有較高的Q值的電容器。本發明的一側面所涉及的電容器具備：基板；下部電極，形成在基板上；介電膜，形成在下部電極上；上部電極，形成在介電膜上的局部；保護層，覆蓋下部電極以及上部電極；以及外部電極，貫通保護層，在從上方觀察電容器的俯視時，外部電極僅形成在被上部電極的周緣劃定的區域內。

技術領域

本發明涉及電容器。

背景技術

作為半導體集成電路所使用的典型電容器元件，例如已知有MIM(MetalInsulator Metal：金屬絕緣體金屬)電容器。MIM電容器是具有由下部電極和上部電極夾著絕緣體的平行平板型的結構的電容器。

例如在專利文獻1公開了提供防止絕緣特性以及漏電電流特性的劣化的薄膜MIM電容器的技術。專利文獻1所記載的薄膜MIM電容器具有基板、形成在該基板上的由貴金屬構成的下部電極、形成在該下部電極上的電介質層薄膜、以及形成在該電介質薄膜上的由貴金屬構成的上部電極。

專利文獻1：日本特開2010－109014號公報

電容器具備用于使上部電極以及下部電極與外部電連接的外部電極。然而，在外部電極超過上部電極的形成區域延伸的情況下，有外部電極與下部電極接近，隔著保護層(也稱為層間膜)電容耦合的情況。其結果，產生與由上部電極、介電膜、下部電極構成的真實電容并聯連接的由外部電極、保護層、下部電極構成的寄生電容。在本申請說明書中，將該寄生電容稱為保護層電容。

例如在RF電路內的要求Q值的電容器中，由于有保護層電容，而在電容器產生不需要的寄生電容，成為使電容器的Q值降低的主要原因。另外，該保護層電容由于高溫時、高濕時的保護層材料的物性變化而變動，所以成為電容器的Q值變動的主要原因。

發明內容

本發明是鑒于這樣的情況而完成的，目的在于提供能夠抑制保護層電容，且即使在高溫時、高濕度時也具有較高的Q值的電容器。

本發明的一側面所涉及的電容器具備：基板；下部電極，形成在上述基板上；介電膜，形成在上述下部電極上；上部電極，形成在上述介電膜上的局部；保護層，覆蓋上述下部電極以及上述上部電極；以及外部電極，貫通上述保護層，在從上方觀察電容器的俯視時，上述外部電極僅形成在被上述上部電極的周緣劃定的區域內。

根據本發明，能夠提供抑制保護層電容，且即使在高溫時、高濕度時也具有較高的Q值的電容器。

附圖說明

圖1是第一實施方式所涉及的電容器的俯視圖。

圖2是第一實施方式所涉及的電容器的剖視圖。

圖3是比較例的電容器的剖視圖。

圖4是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖5是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖6是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖7是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖8是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖9是第一實施方式所涉及的電容器的工序剖視圖。

圖10是第二實施方式所涉及的電容器的俯視圖。

圖11是第二實施方式所涉及的電容器的剖視圖。

圖12是第三實施方式所涉及的電容器的俯視圖。

圖13是第三實施方式所涉及的電容器的剖視圖。

圖14是表示由第三實施方式所涉及的電容器形成的電容的剖視圖。